据外媒报道，英特尔在14nm支撑上已经推三代产品，至于10nm工艺也仅仅表示在今年进行试验性生产。为什么会这样呢，对此三星和英特尔的专家纷纷坦言，只要是受困于EUV（极紫外光刻）推进的困难。

英特尔三星说EUV光刻机仍面临不少商用难题（图片来自baidu）

英特尔以及三星等在加州举办的国际光电工程学会(SPIE)年度会议上表示，用于10nm以下芯片生产的关键技术或者说设备EUV（极紫外光刻）光刻机仍面临不少商用难题。

三星表示去年底他们生产出了首款EUV光罩，瑕疵已经很少。不过，三星表示，他们仍然认为EUV可用于其7nm制程节点。

至于英特尔则是从1992年就着手开发，去年底为晶圆厂出货其首款达到商用品质的EUV光罩，目前已经参与到14、10和7nm无缺陷网线生产。在现有的8个核心EUV计划中，有6项计划已经准备好或即将就绪。英特尔EUV计划负责人Britt Turkot指出，用于覆盖EUV晶圆的防尘薄膜仍在开发中，而用于检测EUV光罩的新工具也还验证中。

与三星激进的做法不同，英特尔表示需等待完全成熟后导入。英特尔EUV小组专家Britt Turkot称，虽然其可作业时间超过了75%，但一旦运行，光罩问题就会层出不穷。

目前在最高端的沉浸式光刻机中，荷兰ASML（阿斯麦）占有80%的份额，其中NXE 3350B是全部14套EUV系统中的绝对主力（累计6套），而其单价高达6亿元人民币，等同于一台F35战斗机的价格。