LED：新型衬底与Micro LED是发展新动力在行业经历疯狂之后，LED产业逐步平稳，产业转移、产能过剩、新技术挑战等等因素都使得深耕LED的产业人士，特别是处于LED最大市场的中国企业家、专家不得不寻找产业的新增长点——寻找优良的衬底技术与发展Micro LED。在衬底技术方面，硅衬底材料的出现是结合了导热性、成本低、工艺成熟等优势的融合。发展硅衬底技术能进一步推动LED照明技术革新。

Micro LED为LED技术的微型化和矩阵化。在智能终端小型化、物联网时代趋势带动下，Micro LED成为平板显示界的新热点。

化合物半导体是未来核心材料从2000年开始，化合物半导体市场逐步扩大，以砷化镓（GaAs）、氮化镓、碳化硅为首的半导体材料应用增多。第三代半导体是以GaN、Sic与ZnO，由于其极高的光电转化效率，多制备成宽禁带、高功率、高效率的微电子、电力电子、LED光电等器件。由于氮化镓的应用范围主要在中低功率产品，相关机构由此预估，氮化镓半导体材料在2015年2021年期间成长率达到83％，其中电源应用占比较大，达到近60％；相比而言，碳化硅由于市场空间小，成长相对缓慢，成长率在21％左右。全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领域有极大市场。我国作为相关器件的消费大国，通过提升制造能力，正以全新姿态往化合物半导体方向布局。