600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能，采用分别的发射极开路输出设计，并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。

600V超接面功率模块简化马达驱动电路设计

意法半导体(STMicroelectronics，ST)新推出的SLLIMM-nano智能功率模块(IntelligentPowerModule，IPM)导入新封装类型，并整合更多组件，加快300W以下低功率马达驱动器研发，简化组装过程。

3A和5A模块内建最先进的600V超接面MOSFET，最大限度的提升空气压缩机、风扇、泵等设备的效能。各种直列针脚或Z形针脚封装有助于优化空间使用率，并确保所需的针脚间距。内部开孔结构可使用安装容易且平价的散热器。此外，分别的发射极开路输出设计可简化PCB板单路或三路Shunt(分流电阻)电流监视走线。

每个IPM模块都包含由六颗MOSFET组成的三相半桥和一个高压闸极驱动芯片。新功能有助于简化保护电路和防错电路设计，包括一个用于检测电流之未使用的运算放大器、用于高速错误保护电路的比较器，以及用于监视温度之可选NTC(负温度系数)热敏电阻，亦整合一个升压二极管，以降低物料列表(BOM)的成本，简化电路板之设计。智能关断电路可保护功率开关组件，欠低压锁附保护(UVLO)预防低Vcc或Vboot电压所引起的功能失效。

此超接面MOSFET有很低的导通电阻，在25℃时仅为1.0Ω或最大则为1.6Ω，低电容和低闸极电荷可最大限度降低导通损耗和切换损耗，进而提升20kHz以下硬切换电路之效能，包括各种工业马达驱动器，让低功率应用不需使用散热器。此外，优化的开关di/dt和dV/dt上升速率确保低EMI干扰，可以进一步简化电路的设计。

新模块的最高额定接面温为150℃，并已取得UL1557认证，电压绝缘级别高达1500Vrms/min。意法半导体的SLLIMM-nano模块即日起量产。