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最新65V LDMOS加快设计并提高输出功率

2017-11-03 09:15 来源: eettaiwan 作者:

贸泽电子开始供应NXP采用最新LDMOS技术的MRFX1K80H电晶体

贸泽电子(MouserElectronics)即日起开始供应NXPSemiconductors的MRFX1K80HLDMOS电晶体。MRFX1K80H属MRFX系列的射频(RF)MOSFET电晶体产品之一,采用最新的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。MRFX1K80H采用的LDMOS技术有助于提高宽频应用的输出功率,同时维持适当的输出阻抗。

最新65V LDMOS加快设计并提高输出功率

贸泽电子

贸泽电子供应的NXPMRFX1K80HLDMOS电晶体能在65V下提供1800W连续波,适用于1.8至470MHz的射频应用,在所有相位角度下提供65:1的电压驻波比(VSWR)。此装置提供50欧姆的阻抗匹配,有助于缩短整体开发时间。

MRFX1K80H专为30V至65V的延伸功率范围所设计,具有高崩溃电压,可靠度更高,效率更为优异。系统电压提高,电流下降,可限制对DC电源供应器造成的应力,进而减少磁辐射。装置提高输出功率,亦有助于降低合并的电晶体数量,同时简化功率放大器的复杂度,并降低整体大小。

MRFX1K80H适用于具有适当偏差的线性应用,提供整合式静电放电(ESD)防护,改善C类放大器的运作。MRFX1K80H的目标应用包括工业、科学与医疗(ISM)应用,以及广播、航太与行动无线电设备。

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