储存型闪存（NAND Flash）供货吃紧状况可望于明年首季纾解，近期三星等大厂积极转进3DNAND Flash制造，但3DNAND Flash生产设备无法再转回生产DRAM，加上主要DRAM厂仍采节制性增产，预估明年DRAM市场仍将供不应求，并摆脱过往景气起伏牵绊，成为重要的半导体组件。

内存业者强调，DRAM价格从去年下半年起开始上扬，截至今年第4季已连六季涨价，下季韩系二大厂仍续涨5%，将写下创下史上最长涨价纪录。

反观NAND Flash明年首季面临价格回调压力，但过往2DNAND Flash市况不佳，相关机台可以转回生产DRAM，导致DRAM产出大增的问题，现在则不再复见，对整体DRAM市况是好事一桩。

业界分析，包括三星等大厂都积极挥军3DNAND Flash新技术，但3DNAND Flash的设备，无法如过去快速转换生产DRAM，在制程转换难度升高，以及DRAM应用端扩大，加上中国大陆目前仍无法取得技术授权下，未来几年DRAM厂都会维持稳定获利局面。

至于韩系大厂扩厂，是否会导致DRAM价格修正？业者分析，目前三星和SK海力士宣布投入增产的资本支出，多用于先完成土建等厂房建设，未来视情况再增加机台，以目前DRAM的寡占局面，主要大厂仍谨守节制性增产的原则，维持DRAM业务稳定获利，作为在3DNAND Flash争战的凭借，因此，DRAM价格下修的可能性很低。