英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3DXPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3DXPoint技术的Optane品牌储存产品，成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘(SSD)系列。1月8日，合作多年的两家公司宣布将在完成第三代3DNAND研发之后，正式分道扬镳。

英特尔美光3D NAND合作终止于第三代产品

外媒报道，英特尔和美光12年前成立合资公司IMFlashTechnologies发展NAND。在2012年的时候，英特尔把多数IMFT工厂的股份卖给了美光，而只保留Lehi这一个据点。此后，双方就开始各自兴建自己的生产线。英特尔提供研发成本，可分享NAND销售收益。目前，英特尔NAND主要用于企业市场的固态硬盘（SSD），而美光除了销售SSD，还供应NANDFlash芯片产品给更多客户。

目前，两家公司已进入第二代3DNAND制程，可堆叠64层，正在研发第三代产品，预料将可实现96层的堆叠技术，预计在2018年底、2019年初问世。

去年11月，IMFlashB60晶圆厂完成扩建工程，规模扩大后的晶圆厂将生产3DXPoint内存。

关于两家公司分道扬镳的理由，一种猜测是，在NAND堆叠层数破百后，需要调整StringStacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。另一种猜测是，目前3DNAND的生产主流是电荷储存式（Chargetrap），三星电子等厂商均采用这一方式，英特尔/美光是唯一采用浮闸（floatinggate）架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但这相当于承认失败，表明从2DNAND转换成3DNAND后，选用浮闸是一个错误决定，因而闹翻。

值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发3DXPoint存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。英特尔强调，双方都认为，独立之后，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。英特尔称，他们仍旧会在犹他州的Lehi工厂联合研发制造。