高通在全球移动通讯大会（MWC）前夕发布业界传输速率最高的X24基带芯片，采用7纳米FinFET制程生产，而整合X24的Snapdragon855（骁龙855）手机芯片也将在今年底采用7纳米FinFET制程投片。业界人士指出，高通今、明两年7纳米LTE芯片代工订单已由台积电拿下，明年下半年试产的5G芯片则选择三星7纳米极紫外光（EUV）制程生产。

台积电拿下高通LTE芯片7纳米订单

虽然今年MWC大会中，5G才是市场热门焦点，但5G商用时间表大约落在2020年，因此，今、明两年4GLTE仍然会是智能手机主流技术。高通在MWC开展前夕发表X24基带芯片，传输速率高达每秒2Gb，可说是现阶段地表最强LTE基带芯片。高通也宣布X24芯片将采用7纳米FinFET制程生产，业界人士指出台积电是唯一独家晶圆代工厂。

高通7纳米X24基带芯片最大特色是支持最高7个载波聚合（7xCA）技术，亦是全球首款Cat.20LTE基带芯片，能够同时支持最多达20路的LTE数据流，等于可以合理利用电信业者所提供的全部频谱资源。高通将在MWC大会中与Telstra、Ericsson、Netgear等设备商或电信业者合作进行X24传输示范。

高通虽然才在去年底推出骁龙845手机芯片，采用三星10纳米制程生产，但随着X24基带芯片正式推出，高通新一代搭载X24的骁龙855手机芯片将会在今年底前亮相，并且同样采用台积电7纳米制程投片。而骁龙855平台除了传输速率全球最快，也会加强在人工智能及相机数位讯号处理器（ISP）等运算功能，不排除会再加入第三代超音波屏幕指纹识别技术。

业界人士透露，由于全球5G规范及标准尚未完全敲定，5G要进入商用的时间点大约落在2020年，因此今、明两年高通的主力战场仍然在4GLTE市场。虽然高通及三星日前宣布合作，高通5G芯片将采用三星7纳米EUV制程，但试产时间应该落在明年下半年。由此来看，高通今、明两年的4GLTE芯片要全速转进7纳米，代工订单几乎都由台积电拿下。

台积电今年资本支出介于105～110亿美元，首要投资项目就是以最快速度拉高7纳米产能。台积电已有10颗7纳米芯片完成设计定案（tape-out），今年底前将有超过50颗7纳米芯片可完成设计定案，除了高通7纳米订单重回台积电手中，第二季后包括苹果、赛灵思（Xilinx）、超微、辉达（NVIDIA）、海思等7纳米订单也将陆续进入量产。也难怪台积电董事长张忠谋会在日前法说会中表示，现阶段台积电在7纳米的市占率已达100％。