美国加利福尼亚圣克拉拉，（2018年2月27日）——今日，格芯与eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nmFD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDXeMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。

eVaderis的MCU设计充分利用了22FDX平台高效的电源管理能力，相较于上一代MCU，电池续航力可提高到10倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™合作项目（FDXcelerator™PartnerProgram）开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用，可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。

MCU

“eVaderis创新架构的超低耗电MCUIP设计以格芯22FDXeMRAM技术为基础打造，非常适合常闭的（normally-off）物联网应用。”eVaderis总裁兼首席执行官Jean-PascalBost表示，“以格芯eMRAM作为工作内存，可让MCU的部分电路更频繁的下电，而不会引起MCU的性能损失。eVaderis希望能在今年年底之前将这项通过验证的IP提供给客户。”

“穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁DaveEggleston表示，“身为FDXcelerator合作伙伴，eVaderis运用基于格芯22FDX的eMRAM技术，开发全新的MCU架构，帮助客户达成更高的需求。”

格芯与eVaderis基于格芯22FDX的eMRAM技术共同开发的参考设计将于2018年第4季面世。包含有eMRAM和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆（MPW）已经开放，现成的eMRAM模块也已提供，有Flash和SRAM两种接口方案可供选择，使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在2018年开始小批量生产。