昨天的Samsung Foundry Forum论坛上，三星直接宣布了5/4/3nm工艺技术。

其中，5nmLPE工艺相较于7nmLPP，会进一步缩小芯片核心面积，带来更低的功耗。

4nmLPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术，进步压缩芯片面积。

3nmGAAE/GAAP则采用了全新的GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）纳米技术，需要重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。