盛会“快闪存储器高峰会”（FlashMemorySummit）正式公布64层3DNAND芯片专利，向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力，并追上主流产品脚步，相关产品预计明年量产，加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。

消息人士透露，紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3DNAND芯片专利，等于开放全球存储器大厂公开检视长江存储的64层3DNAND芯片技术布建，向全球宣示大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快，未来将会是3DNAND芯片供应链的重要一员。

据了解，长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵，在美国SantaClara举行的“快闪存储器高峰会”正式发表长江存储的64层3DNAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。

长江存储宣称32层3DNAND芯片良率已超过九成，不过由于产品市场接受力有限，长江存储只当做练兵，月产能仅5,000片，预料未来进入64层3DNAND芯片世代将加快量产规模，届时对NAND市场冲击加深，震撼业界。