据外媒透露，存储芯片龙头三星正计划降低存储芯片的产能增速以维持市场供需平衡，借此维持当下高昂的存储芯片价格甚至进一步推升价格，此举凸显出其在存储芯片行业的垄断地位。

三星在存储芯片行业的垄断地位

当前全球存储芯片主要是DRAM和NANDFlash，三星占有DRAM约45%的市场份额，在NANDFlash市场则占有近四成的市场份额，并且其在技术方面也具有优势，引领着行业的技术发展。

在这三年存储芯片价格节节攀升的过程中，三星成为最大的受益者，其半导体业务收入因此持续飙升，到去年首次超过Intel成为全球最大的半导体企业，Intel此前占有该位置长达24年时间。存储芯片价格的持续飙涨也为三星带来了丰厚的利润，2016年三季度由于三星note7电池爆炸的影响，其移动部门利润大跌九成，但是随后在存储芯片业务的拉动下季度利润不断创出新高，半导体部门也成为它最大的利润来源。

正因三星堆存储芯片市场所拥有的巨大影响力，当传出它有意降低存储芯片产能增速的时候，各方均担心存储芯片价格将因此出现上涨，而智能手机、PC等行业已饱受存储芯片价格上涨之苦，它们均将提升产品售价的原因归咎于存储芯片价格的持续上涨。

由于三星在存储芯片行业所具有的地位，中国已就存储芯片价格持续上涨涉嫌垄断约谈三星，但似乎并无法阻止存储芯片价格的上涨，DRAM芯片的价格继续保持涨势。

改变三星的垄断地位需要时间

当前三星在存储芯片行业所拥有的垄断地位相当稳固，它在DRAM行业正积极推进1Xnm工艺，在NANDFlash方面则研发96层V-NAND技术，通过采用更先进的技术保持它在存储芯片行业的领导优势。

由于在先进的技术研发和投入方面往往达到百亿美元计算，导致现有的其他存储芯片企业难以跟上。DRAM第二大企业SK海力士实力远较三星弱小，NANDFlash第二大企业东芝存储器刚刚完成分拆，能真正给存储芯片市场带来改变的将是中国存储芯片企业。

中国已认识到三星垄断存储芯片行业给国内相关产业造成的巨大影响，为此积极推动国内的存储芯片行业的发展，当前国内三大存储芯片企业有长江存储、合肥长鑫、福建晋华，长江存储已投产32层NANDFlash并计划在明年二季度投产64层NANDFlash，合肥长鑫和福建晋华预计今年底或明年初投产DRAM，不过它们要实现大规模量产并且在技术上跟上三星还要数年时间。

在目前还没有谁能挑战三星在存储芯片行业垄断地位的情况下，三星当然希望继续凭借自己在该行业的垄断地位攫取丰厚的利润，降低产能增速维持存储芯片价格处于高位甚至进一步推动价格上涨成为它的必然选择。

三星能拥有如此地位也是通过数十年的努力获得的，当年它击败日本存储芯片巨头就花了十多年时间，在几年之前还与日本存储芯片企业展开产能竞赛导致存储芯片价格快速下跌最终导致日本存储芯片巨头尔必达倒闭，经过这些残酷的市场竞争之后才成就三星今天的地位，中国存储芯片的崛起也将面临这些残酷的竞争。