据央视《中国新闻》节目报道，新基建包括七大领域：5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网。

5G基站建设被放到首要位置，并且三大运营商及多个地方政府都已披露了数量可观的5G建设计划。中国移动（CM）已完成第一阶段部署（5G服务部及50个城市，截至1月建设7.4万台5G基站）。

目前的目标是到2020年底建设超过30万5G基站，覆盖所有293个地级市。中国联通（CU）计划与中国电信（CT）共建共享，目标2020年二季度和三季度底分别达到10万和25万的5G基站（截至2月有6.4万台），比原计划提前一个季度。

3月6日，中国移动发布2020年5G二期无线网主设备集中采购公告，正式启动旗下28个省、自治区、直辖市共232143个基站的采购招标，拉开2020年5G大规模建设的序幕。

2019年通信建设支出已经恢复增长，业界普遍预期，未来五年我国都将维持5G大规模建设状态。据中国信通院预测，预计到2025年5G网络建设投资累计将达到1.2万亿元。此外，5G网络建设还将带动产业链上下游以及各行业应用投资，预计到2025年将累计带动超过3.5万亿元投资。

中国联通网络技术研究院表示5G宏基站数量是4G宏基站数量的1.5-2倍。根据预测，在共建共享背景下，我国19年开启5G宏基站建设，2025年5G宏基站的数量预期为600万座。

由于5G频段相比4G更高，在传播过程中的损耗更大，因此5G对传输的速率、稳定性、低延时要求趋严。为满足5G时期不同场景对传输速率、传输质量的要求，在建设过程中将会大规模布局基站，特别是小基站和室内基站。

5G产业链条非常之广，与元器件相关的产业包括功率器件、射频器件、光纤光缆、光模块等核心元件需求将率先迎来爆发期。

功率器件：氮化镓GaN作为第三代半导体材料，可能是5G时代的最大受益者之一。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。GaN的宽带性能也是实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaNHEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。GaN或将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。

射频器件：5G手机和基站都使用射频器件，包括功率放大器、双工器、滤波器、天线等。5G提升了速率、减少了延迟、增加了频率范围（例如Sub-6（低于6GHz频段）和毫米波频段）、MIMO（多输入多输出）。因此射频器件的设计和架构与4G有大的区别，数量上也增加了。4G多模多频手机需要的功率放大器芯片为5-7颗，而5G可能预测需要15个以上。

光模块：在5G承载网中，光模块是网络物理层的基础构成单元，广泛应用于无线及传输设备，其成本在系统设备中的占比不断增高，部分设备中甚至超过50%-70%，是5G低成本、广覆盖的关键要素。