微信
投稿

泛林集团推出先进介电质填隙技术,推动下一代器件的发展

2020-09-26 10:27 来源:网络 作者:

全新Striker® FE增强版原子层沉积平台可解决3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商面临的挑战

上海——近日,全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。Striker FE平台采用了业界首创的ICEFill™技术,以填充新节点下3D NAND、DRAM和逻辑存储器的极端结构。不仅如此,该系统还具备更低的持续运行成本和更好的技术延展性,以满足半导体产业技术路线图的发展。

半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积 (CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而,由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍,因此已无法满足当前3D NAND的生产要求。相比之下,泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术,可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙,并保持原子层沉积 (ALD) 固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制,避免DRAM和逻辑器件结构倒塌的问题。

泛林集团高级副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示:“我们致力于为客户提供好的ALD技术。在单一工艺系统中,这项技术不仅能够以优异的填隙性能生产高质量氧化膜,还整合了泛林集团行业的四位一体的模块架构带来的生产率优势。”

Striker FE平台的ICEFill技术属于泛林集团Striker ALD产品系列,欲了解该系列产品的更多信息,请访问产品页面。

关于泛林集团

泛林集团(纳斯达克股票代码:LRCX)是全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商。作为全球半导体公司可信赖的合作伙伴,我们结合了卓越的系统工程能力、技术领导力,以及帮助客户成功的坚定承诺,通过提高器件性能来加速半导体产业的创新。事实上,当今市场上几乎每一颗先进的芯片都使用了泛林集团的技术。泛林集团是一家财富500强公司,总部位于美国加利福尼亚州弗里蒙特市,业务遍及世界各地。欲了解更多信息,请访问:www.lamresearch.com (LRCX-P)。

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

精彩评论

暂无评论...
验证码 换一张
取 消

热门作者

东方

简介: 天马行空的文字之旅。

邮箱: liutingting03@hczyw.com

简介: 保持期待,奔赴山海。

邮箱: zhuangjiaxin@hczyw.com

松月

简介: 脚踏实地,仰望星空。

邮箱: wuxiaqing@hczyw.com

合作咨询:15889679808               媒体咨询:13650668942

广州地址: 广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

深圳地址: 广东省深圳市龙华区五和大道星河WORDC座5F506

北京地址: 北京市朝阳区小关东里10号院润宇大厦2层

慧聪电子网微信公众号
慧聪电子网微信视频号

Copyright?2000-2020 hczyw.com. All Rights Reserved
慧聪电子网    粤ICP备2021157007号