目前，我国集成电路产业已经形成了IC设计、芯片制造和封装测试三大产业环节。在芯片设计及封装测试方面，我国不断取得新突破，在追赶国际水平的路上不断发力。

但在芯片制造领域与如今最 先进的芯片制造商相比还有明显代际差距。与国际领 先水平相比，中国大 陆的芯片制造企业至少落后3-5年，工艺制程落后了大约3代。“中国芯”要想崛起，提升芯片制造水平是当务之急。

作为国产芯片拓荒者，中芯国际的成功给中国半导体行业带来了很大的希望，因为在此前，中国半导体行业发展完全依靠政府大量的资金投入，而中芯国际这家企业却很好的采用“市场化运作”闯出了一片天。

从28nm到14nm，再到现在的7nm工艺，如果不是荷兰ASML公司未能及时交付EUV光刻机，可能中芯国际现在已经取得了更大的成就。

当下，中芯国际向世界先进制程发起冲锋，越过光刻机，冲刺7nm。

制程，指的是芯片内电路与电路之间的距离。在生产CPU的过程中，集成电路的精细度、精度越高，生产工艺就越先进。制程是微电子技术发展与进步的重要指标，芯片制程密度越高，意味着芯片可以拥有更复杂的电路设计，不仅芯片性能得以提升，而且功耗也能大幅降低。

前不久，梁孟松公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

但值得注意的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。

据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，预计第四季度有限量产。

与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，N+1的性能比14nm提高了约20％，但市场基准提升幅度是35％，所以有差距，但这也是唯一的差距。

如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。

中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10％，因此是一个非常特殊的工艺节点。

从中芯国际描述上来看，可以理解为，N+1工艺更加接近于台积电10nm，N+2则接近于7nm，但性能不如。

目前，N+1工艺和N+2芯片还处于研发阶段，中芯国际正计划对N+1工艺芯片进行试产，这意味着中芯国际将成为世界上第三个掌握7nm工艺的芯片代工企业。梁孟松还透露，在N+1工艺成熟后，中芯国际还将对N+2工艺进行进一步探索，该种工艺下的芯片性能将得到进一步提升。

梁孟松多次表示，目前中芯国际无需EUV光刻机，也能实现7nm工艺的生产，台积电第一代7nm工艺芯片也没有使用EUV光刻机，但是之后的5nm、3nm工艺的芯片制造则必须使用EUV光刻机。相信未来光刻机的入驻，会进一步拉近国内与国际大厂的差距。