3月28日的发布会上，小米雷军对外正式公布了小米SU7各版本的售价。同时，雷军宣布特别推出5000台小米SU7创始版。创始版除可选标准版及Max版基本配置外，还有专属车标、配件等权益。由于提前生产，不可选配，故相关车型可最先交付，而非创始版的小米SU7标准版与Max版于4月底启动交付，Pro版在5月底启动交付。

几天后的4月3日，小米汽车创始版迎来首批交付。在北京亦庄小米汽车工厂总装车间的交付现场，雷军亲手将车交给车主并和车主合影留念，再挥手目送每位车主离开。“幸福到眩晕”“千亿老板给我开车门” 的话题热度也是居高不下。

IGBT的用量随之激增，但上游产业链扩产速度明显跟不上市场需求，在今年2月，行业即发出预警，认为IGBT或将成为今年下半年汽车生产的瓶颈。

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IGBT是新能源车的IGBT

IGBT占新能源汽车整机总成本的5%以上，仅次于电池。电机和电机控制器是新能源汽车的核心部件，直接决定了车辆的行驶性能。在电机驱动中，IGBT主要存在于逆变器模块中。逆变器的功能是将直流电转换为交流电以提供驱动电机。来自北斗航天汽车的数据显示，电机和电机控制器分别约占车辆成本的4%和9%。在电机控制器内部，IGBT模块约占其成本的37%。因此，IGBT模块约占整车成本的5%。如果在车载空调控制系统中加入IGBT，成本比重更高。此外，大功率电动汽车也将对IGBT有越来越高的要求，这将间接增加IGBT在整个新能源汽车中的成本。

IGBT是由双极结型晶体管(BJT)和MOSFET组成的复合功率半导体器件。它结合了BJT的高耐压性和MOSFET的高输入阻抗，使其成为新能源汽车的“CPU”和核心部件。IGBT直接控制驱动系统中直流电和交流电的转换，决定新能源汽车的最大输出功率、扭矩等关键数据。

电动汽车的核心在于高压(200-450V DC)电池及其相关的充电系统。电动汽车的主电机驱动通常需要功率器件驱动功率为20-150kW，平均功率在70kW左右。由于驱动功率、电压较高，能耗敏感性较高，电动汽车制造商常采用导通压降较低、工作电压较高的IGBT模块。

可见，相比硅基MOSFET，IGBT更适合高压工作，两者相辅相成。

在电力驱动系统中，逆变器模块中使用IGBT，将电池的直流电转换为交流电来驱动电机。在电源系统中，IGBT用于各种AC-DC和DC-DC转换器中，为电池充电并执行功率电平转换功能。另外，电动汽车充电站采用IGBT逆变电源模块，将直流电逆变为交流电，再通过变压器耦合和整流单元变换成不同的电流和电压规格，方便电动汽车充电。

从市场竞争来看，IGBT目前由欧洲和日本主要厂商占据主导地位，前五名企业占据了60%以上的市场份额。据民生证券统计，英飞凌科技目前市场份额为32.7%，是IGBT领域的绝对巨头。

在应用解决方案方面，英飞凌推出了汽车IGBT模块FS820R08A6P2B，该模块具有匹配的发射极控制二极管，满足汽车应用要求。

英飞凌的 750V HybridPACK 驱动模块

据介绍，英飞凌750V HybridPACK驱动模块是一款针对混合动力和电动汽车主逆变器(xEV)进行优化的超紧凑型功率模块。该产品系列提供最大的电压和功率可扩展性，有六种不同的封装版本，涵盖200A-900A的功率范围和400V-1200V的电压范围(芯片额定值)。直接焊料冷却 (DSC) 技术的使用不仅提供了充足的扩展可能性，而且效率提高了 25%。

英飞凌提供不同电压和电流水平的多种产品组合，包括裸芯片、分立器件、功率模块和组件，提供多样化的 IGBT 产品系列。引线键合 FS820R08A6P2B (820A/750V) 是一款针对 150kW 逆变器进行优化的六装模块。该电源模块采用 EDT2 IGBT 芯片，采用汽车微图案沟槽场截止单元设计。该芯片提供基准电流密度、出色的短路耐受性、增强的电压阻断能力，确保即使在恶劣的环境条件下也能可靠运行。EDT2 IGBT 还表现出出色的轻载功率损耗，有助于显着提高实际周期中的系统效率。该芯片针对 10kHz 范围内的开关频率进行了优化。

从价值来看，IGBT约占新能源汽车电控系统总成本的37%。它们是控制系统中最关键的电子元件之一，电气化程度越高，车辆中IGBT的比例就越高。预计到2025年全球新能源汽车IGBT市场规模将达到近40亿美元，5年复合增长率(CAGR)达39.4%，市场潜力巨大。

目前，由于新能源汽车爆发性需求与供应扩张周期不匹配，整个汽车IGBT市场面临着严重的供应短缺。

早在2022年，业内就有消息称，安森美半导体深圳工厂2023年的IGBT产能已全部售空，该公司已停止接受新的IGBT订单，以降低无法交付的风险。此举表明当前市场对汽车级IGBT的高需求。一些供应链厂商表示，2023年汽车级IGBT的供需缺口没有缓解的迹象。

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大厂抢产能

车规级IGBT产能紧张引发的供需失衡已存在较长时间，汽车产业链市场在去年就开始抢产能。具体来说，以下是一些知名厂商及其在争夺车规级IGBT产能方面所采取的策略：

士兰微作为国内的一家重要企业，在新能源汽车市场进行了积极布局。在分立器件领域，士兰微2023年收入达到48.32亿元，同比增长8.18%。IGBT产品营收达到14亿元，同比大幅增长140%。公司自主研发的电车主电机驱动模块已在多家客户实现批量供货，预计未来将持续增长。公司预计IGBT将在2024年实现满产，并计划在未来进一步拓展光伏市场的份额。此外，士兰微的车用PIM模块、LVMOS单管、IGBT单管等产品已经实现批量供应，SiC产品也成功上车，并与吉利、领跑、威迈斯等客户建立了合作关系。

士兰微正加速推进新能源领域布局，SiC产线建设进展顺利，预计2024年底产能将大幅提升。公司自主研发的SiC-MOSFET产品已实现量产，全年营收有望达到10亿元。

公司目前已批量进入新能源车市场的产品主要有PIM模块、LVMOS单管、IGBT单管等，目前当月销售额已接近1亿元左右，预计2024年新能源车市场的销售额会排在公司各细分市场销售额的第一位。

在IGBT方面，2023年第三季度12寸线正在加快调整产品结构，减少了低附加值产品的产出，而IGBT产品还在上量过程中，因此产能利率目前没有打满;目前12寸线IGBT产能已有2.5万片/月，实际产出1.5万多片/月，随着后续IGBT进一步上量，产能利用率会显著回升，预计到90%以上。

英飞凌作为德国的一家知名企业，在IGBT领域具有深厚的技术积累。公司不断推出创新的IGBT产品，以满足市场对高性能、高效率的需求。

三菱电机株式会社作为日本的一家老牌企业，在IGBT领域也有着不俗的表现。公司注重技术研发和产品创新，通过推出新型IGBT模块和IPM模块，不断提升产品的性能和可靠性。三菱电机的IGBT产品在工业控制和变频家电等领域有着广泛的应用。

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卷起来的技术

此外，富士电机株式会社、斯达半导、华润微、时代电气等国内外厂商也在IGBT产能的争夺中表现出色。他们通过加大研发投入、优化生产流程、拓展销售渠道等方式，不断提升自身的竞争力和市场份额。例如在本土IGBT厂商中，目前已有多家实现第七代IGBT技术。

IGBT7作为最新一代技术，其沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计并且优化了寄生电容参数，从而实现5KV/us下的最佳开关性能。随着光伏产业，新能源汽车产业的发展，IGBT7有望进一步推广。

4月3日，有投资者提问振华科技：IGBT领域长期被国外厂商占据大部分市场，请问贵公司是否开发了多种规格型号，以满足不同领域比如新能源电动车，光伏逆变器，风力发电，电网，轨道交通等不同领域的不同需求?就此，振华科技董秘表示，公司已成功研制出10余种采用第7代IGBT芯片技术的功率模块(单管)，主要应用于特种领域。据悉是1200V/900A功率模块。

除此之外，斯达半导体已经基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的750V车规级IGBT模块实现大批量装车;

新洁能基于650V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款模块产品完成开发，逐步量产;

时代电气研发突破第七代超精细沟槽STMOS技术;

士兰微电子已经也推出了第七代产品，内部对应的是5+，性能测试下来完全符合，目前已在客户验证导入和小批量阶段;

宏微科技的IGBT技术已更新到第七代，已实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;

北京贝茵凯微电子有限公司已成功研发全自主的“第七代大功率IGBT”，并已于12英寸晶圆上面世。

虽然这些厂商在争夺IGBT产能方面取得了显著成果，但市场竞争依然激烈。随着可再生能源和新能源汽车等领域的快速发展，IGBT市场的需求还将继续增长。因此，厂商们需要不断创新和提升技术水平，以应对市场变化和客户需求的变化。