据韩媒报导，传三星电子（Samsung Electronics）已在磁阻式随机存取内存（MRAM）取得重大进展，市场估计在5月24日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的MRAM内存。

由于标准型内存DRAM、NAND Flash等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存“磁电阻式随机存取内存（MRAM）”，与含3D XPoint技术的“相变化内存（PRAM）”及“电阻式动态随机存取内存（RRAM）”。

上述三类次世代内存皆具有非挥发性内存技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代内存处理速度，将比一般闪存内存还要快上十万倍。

目前三星电子正大力发展MRAM内存，而另一半导体巨擘英特尔（INTC－US）则是强攻含3D XPoint技术的PRAM型内存。

全球最大半导体代工厂台积电亦曾在4月13日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备“量产”MRAM及电阻式动态随机存取内存（RRAM）等新型内存之技术。

据韩国半导体业内人士透露，全球半导体巨擘正在次世代内存市场内强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。

《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取内存（MRAM）、相变化内存（PRAM）、电阻式动态随机存取内存（RRAM）等三大次世代内存中，又以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

据了解，目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体（NXPI－US）已经决定采用三星电子的MRAM内存，以应用在相关的物联网装置之上。