富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行FRAM存储器64K MB85RS64。

描述

MB85RS64是一款8，192字×8位配置的FRAM（铁电存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS64采用串行外设接口（SPI）。MB85RS64能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这是SRAM所需要的。

MB85RS64采用的存储单元可进行1010次读写操作，相比Flash存储器和E2PROM支持的读写操作次数有显着提升。MB85RS64不像闪存和E2PROM那样需要很长时间来写入数据，并且MB85RS64不需要等待时间。

特点

•位配置：8，192字×8位

•Serial Peripheral Interface:SPI对应SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

•工作频率：20MHz（最大）

•高耐用性：100亿次读/写

•数据保留：10年（+85℃）

•工作电源电压：2.7V至3.6V

•低功耗：工作电源电流1.5（TBD）mA（Typ@20MHz）待机电流10μA（TBD）（Typ）

•工作环境温度范围：-40℃至+85℃

•封装：8针塑料SOP（FPT-8P-M02）符合RoHS

引脚分配

独立FRAM提供了将 FRAM 同化到任何需要高速非易失性存储器的系统的灵活性。 FRAM不需要电池来备份其数据，从而在整个系统中节省了大量成本和电路板空间。它可以用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据可以在以后使用。这些存储的数据可用于重置设备、分析上次状态和激活恢复操作。逐字节随机访问使内存管理更有效。

FRAM只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM 存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人进行定制的机会。