市场调研机构ICInsights大幅提升2018年全球半导体资本支出预期。在2018年3月，该机构对2018年全球半导体资本支出的预期是增长8%。

但根据收集到的最新数据，ICInsights将全行业资本支出预期提升了6个百分点至14%，如果预测成真，2018年全球半导体资本支出将首次超过1000亿美元，仅两年时间，资本支出比2016年同比增幅达到53%。

虽然仍未披露其2018年全年资本支出预算，但三星的确说过，相比2017年，2018年在半导体上的资本支出要收缩。2017年三星在半导体领域豪掷242亿美元，为其过去三年平均资本支出的两倍以上，也是史上单一公司资本支出最高记录，适当收缩实属正常。

但从实际表现来看，三星丝毫没有显示出收缩的迹象，仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势，2018年第一季度三星半导体部门资本支出达到67.2亿美元，略高于过去三个季度资本支出的平均值，几乎是2016年一季度资本支出的两倍。从2017年第二季度到2018年第一季度，四个季度三星半导体资本支出合计达到266亿美元！

ICInsights预计，2018年三星半导体部门资本支出额在200亿美元左右，比2017年减少42亿美元，但从一季度数据来看，该机构认为三星半导体全年资本支出很有可能超过200亿美元。

由于存储器市场（DRAM+NAND闪存）依然非常强势，所以SK海力士2018年资本支出预算有望提升至115亿美元，比2017年支出（81亿美元）同比增长42%。SK海力士资本支出主要用于两处，一是韩国青州工厂M15（3DNAND）投产，另一个是无锡DRAM工厂扩产。

为了赶在景气周期赚钱，SK海力士不断加快工期，青州工厂预计将提前至2018年底投产，而无锡工厂新增产线投产时间也从预定的2019年初，提前到2018年底。

TechSugar注意到，在2017年之前，全球半导体资本支出高峰出现在2011年，当年资本支出为674亿美元。2017年资本支出达到900亿美元，同比增长34%，其中三星（242亿美元）贡献最多，扣除三星全行业增长为18%，因此ICInsights称之为“三星泡沫”。

ICInsights将2018年资本支出增长的原因归结为“中国效应”，近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备，算是一个注脚。不过不少行业人士也表示，2018年入场的设备，多数都被计入到2017年营收。

这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进，未来市场能否消化释放出的产能尚待观察，从设备业角度来看，多对当前行情持谨慎乐观态度，有厂商预测2019年资本支出应该会有较大收缩。