上周，台积电在2020年第 1季法人说明会上宣布，其3纳米制程将在2021年试产，并在2022年下半年正式量产，同时宣布3纳米制程将仍采仍采原有的FinFET（鳍式场效电晶体），不采用与竞争对手三星相同的GAA（环绕闸极电晶体）。而为何台积电的3纳米将持续采FinFET的原因，是不是因为良率或成本的因素。对此，台积电并没有给答案。

台积电原定在4月29日于北美技术论坛发表的相关3纳米技术细节，目前因疫情的关系，将延后到8月召开。因此，预计台积电3纳米制程仍采原有的FinFET，不采用与竞争对手三星相同的GAA的原因，届时会有比较清楚的了解。不过，对台积电3纳米的效能，现在国外媒体已有所报导，指称台积电3纳米制程的每平方公厘电晶体数量可能低于3亿个，也就是约在2.5亿个。

根据国外科技媒体《Gizchina》报导指出，过去采用台积电7纳米EUV加强版制程的华为麒麟990处理器，芯片大小为113.31平方公厘，电晶体数量为103亿个，平均每平方公厘约为9,000万个。而在3纳米制程技术的电晶体数量至少为7纳米制程的3倍情况下，将使得3纳米制程芯片的电晶体数量将大约为每平方公厘2.5亿个左右，而这样的先进制程足以将过去的Pentium4处理器缩小到如一根针大小。

报导进一步指出，之前台积电总裁魏哲家就曾经表示，3纳米制程是在5纳米制程之后，在制程技术的完整世代技术跨越，相较第一代5纳米制程技术，第一代的3纳米制程技术的电晶体密度将提升约70%，预算速度提升10%到15%，能耗降低15%，使得芯片的整体性能提升25%~30%，这使得3纳米制程技术将进一步达成台积电在芯片制造技术方面的领导地位。

之前，外媒曾经在2019年10月报导表示，台积电生产3纳米制程的工厂已经开始建设，工厂占地50~80公顷，预计花费195亿美元。对此，在日前台积电的法说会上，魏哲家也强调3纳米制程技术的研发正在按计划进行中，预计2021年进行试产，而最终的目标是在2022年下半年大规模量产。而对于3纳米制程将仍采仍采原有FinFET，不采与竞争对手三星相同的GAA，虽然外传台积电是基于成本与良率因素，但台积电并没有明确说明。不过此问题预计延后于8月举行的北美技术论坛将明确公布。