2016年市场NANDFlash持续缺货，据分析，到2016年底NANDFlash每GB价格已回升到2014年底水平，至0.25美元/GB，价格的飞速且大幅上涨不仅对市场造成了巨大影响，想必也有助于Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等营收和利润的增长，但实际上大多数都不如2015年。

笔者分析，其重要原因是因为2016年Flash原厂加速向3DNAND切换，除了研发成本增加，切换过程中也很容易出现产能损失，同时还需要更新旧设备，增加新设备，以及扩大生产空间，从而导致Flash原厂NANDFlash产出减少，以及投资成本增加。

三星

2016年三星虽然受Note7停产和停售影响，Q3营收和净利润较预期减少，但受惠Memory、OLED等半导体芯片需求增长，以及GalaxyS7销量优于预期，累积前三季营收达148.5兆韩元，净利润15.6兆韩元，虽然扭转了连续两年营收和净利润双双下滑的颓势，但较2015年同期几乎零增长。不过，三星制定了2017年营收利润超过30兆韩元的目标。

三星自2013年成功量产V-NAND，2016年除了西安厂量产V-NAND，在Q2已将Fab16工厂16nmMLC产线转向48层V-NAND，2016年底V-NAND生产比重已突破35%。2017年三星新工厂Fab17和Fab18也都将投入V-NAND生产，3D技术也将向64层提升，预计三星V-NAND生产比重在2017年Q1可达到45%，Q2将达到50%以上，在3DNAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。

东芝/西部数据(WDSanDisk)

2015年东芝曝出财务造假，影响股价跌幅超过50%。东芝2016年4月-6月营收1.21兆日元，净利润798亿日元，实现了自2015年的财务造假事件之后的首次盈利，7月-9月营收1.372兆日元，净利润355亿日元，可见东芝财务状况已扭亏为盈，股价也基本回到了2015年初的水平。不过，受东芝子公司西屋电气的一项核电业务收购案影响，东芝2016年底股价重挫40%，2017年仍将面临巨大的挑战。

东芝采用BiCS(BitCostScaling)架构在2016年量产48层3DNAND，单Die容量为256Gb，仅用于自家闪存产品，年底已小量生产64层3DNAND，2017年将主力切换到64层量产。东芝改造的Fab2工厂已开始小规模投产48层3DNAND，预计2017年将切换至64层量产。东芝计划在未来3年内投资额达8600亿日元，其中包括将在2017年3月开始建设的新工厂Fab6，2018年Q3开始量产3DNAND，以及更新现有设备等。

另外，西部数据已在2016年5月完成了对闪迪(SanDisk)的收购，并于Q3整合了两家的财务数据。未来西部数据仍在NANDFlash技术与资源上与东芝保持合作关系。

SK海力士

海力士还未被SK集团收购以前，由于2008年爆发的全球金融危机让其陷入了严重的债务危机，当时亏损高达4.75兆韩元。2011年SK集团收购海力士，并逆境大手笔投资研发和生产，终于在2013年扭亏为盈，之后依然保持较高的营收和利润成长。

2016年SK海力士累积前三季营收11.8兆韩元，较2015年同期下滑18%，净利润则下滑63%，这是被SK集团收购后首次出现营收和利润下滑。3DNAND采用36层制造，并在2016年初积极向各家合作伙伴送样，开始规模试产，第三代48层3DNAND已在年底开始销售。2017年SK海力士计划提升至72层3DNAND量产，将在Q1推出样品，Q2开始小批量生产，从堆叠层数来看，已经赶上甚至反超竞争对手，但同时也将面临着更大的量产风险。

另外，为了提高市场竞争力，SK海力士计划与硬盘大厂希捷合作，将设立合资公司，目标是抢占快速成长的SSD市场。

美光

由于美光DRAM业务约占整体营收60%，受PC市场需求下滑影响，2016年前三季度净利润亏损高达4.8亿美元，在Q4终于扭亏为盈。2016年美光32层3DNANDMLC版本单Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原厂品牌之外，市场3DSSD的主要货源之一，64层3DNAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。

美光2015年扩建的Fab10x于2016年投产，英特尔2015年宣布独自投资55亿美元升级设备的大连Fab68工厂，在2016年Q3开始试产32层3DNAND，预计2017年中期转至64层量产。