微信
投稿

Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

2023-06-01 08:31 来源:企业投稿 作者:

该器件已准备就绪Transphorm创新常关氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统

 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统,以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比,这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能,以及更为合理的成本。Transphorm近期已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率,超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。 

 

Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

创新的1200伏技术也展现了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直整合模式、自有外延片生产能力、以及专利工艺技术,再加上数十年的工程专业知识,使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场,并且还在以下四个方面具有重大差异化优势:可制造性、易驱动性、易设计和可靠性。 

 在5月9日至11日的PCIM 2023展会上, Transphorm 也发表了关于1200伏器件的信息。

 器件规格及如何获取样品 

 Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础,满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前在LED市场上已批量生产。此外,1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、常关型的氮化镓平台。 

 TP120H070WS器件主要规格包括: 

 · 内部阻值70毫欧 

· 常关型

· 高效双向导通

· 最大值±20V栅极电压 

· 4伏的栅极驱动低扰度

· 零QRR 反向恢复电荷

· 3引脚TO-247封装 

 我们建议将Verilog-A器件型号与SIMetrix Pro v8.5电路模拟器结合使用。LTSpice型号正在开发中,将于2023年第四季度发布。仿真建模有助于实现快速高效的电力系统设计验证,同时还可减少设计迭代、开发时间和硬件投资。 

 器件模型文件和规格书可在此处下载:https://www.transphormusa.com/en/products/#models 

 1200伏功率管样品预计会于2024年第一季度推出。 

 Transphorm氮化镓功率器件在汽车动力系统和充电生态系统中的应用 

 1200伏氮化镓器件不但是各种市场应用的理想解决方案,而且也可为汽车系统提供独特的优势。 

 电动汽车行业,尤其是在大型汽车的更高千瓦节点,将在这十年的后半期朝800电池的方向发展。因此,1200电源转换开关将会被用于提供所需的性能水平。因此,Transphorm1200伏平台在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和充电桩系统领域定会大显身手。 

 对于当前使用400电池的电动汽车,Transphorm可提供650伏常关型SuperGaN®功率管解决方案。这些功率器件符合AEC-Q101标准,可承受175°C的高温,并已批量生产。 

 Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示: “我们是领先的功率半导体公司,展示并兑现了GaN的承诺。Transphorm的专业知识为市场带来性能卓越的氮化镓器件,这些器件时时刻刻在功率密度、性能和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了Transphorm工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明,氮化镓可以轻松地在此前指定用碳化硅的应用市场中发挥作用。对于我们的业务和氮化镓技术而言,开启了广泛的市场应用潜力。” 

 关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000项,在业界率先生产经JEDECAEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%Transphorm总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormchina.com欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我

SuperGaNTransphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产


免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

精彩评论

暂无评论...
验证码 换一张
取 消

热门作者

东方

简介: 天马行空的文字之旅。

邮箱: liutingting03@hczyw.com

简介: 保持期待,奔赴山海。

邮箱: zhuangjiaxin@hczyw.com

松月

简介: 脚踏实地,仰望星空。

邮箱: wuxiaqing@hczyw.com

合作咨询:15889679808               媒体咨询:13650668942

广州地址: 广州市越秀区东风东路745号紫园商务大厦19楼

深圳地址: 广东省深圳市龙华区五和大道星河WORDC座5F506

北京地址: 北京市朝阳区小关东里10号院润宇大厦2层

慧聪电子网微信公众号
慧聪电子网微信视频号

Copyright?2000-2020 hczyw.com. All Rights Reserved
慧聪电子网    粤ICP备2021157007号