评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能

2024年11月12日 英国剑桥- 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD今日与全球领先的连接和电源解决方案提供商Qorvo® (纳斯达克股票代码: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN®评估套件（EVK），将行业领先的电机控制和能效技术整合在一起。该EVK具有Qorvo的高性能无刷直流（BLDC）/永磁同步（PMSM）电机控制器/驱动器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能，显著改善了电机控制应用。

andrea BricConi | CGD首席营销官

“通过将我们两家技术强大的公司的行业领先解决方案结合到这款EVK中，我们能够开发出紧凑、节能、高功率密度的系统。与其他GaN器件不同，ICeGaN技术可以轻松地与Qorvo的PAC5556A电机控制IC实现无缝对接，在BLDC和PMSM应用中提高性能。”

JEff Strang | Qorvo功率管理事业部总经理

“氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体因凭借其更高的功率密度和效率优势而被积极用于各种电机控制应用中。CGD的 ICeGaN 产品提供了易用性和可靠性，这些是电机控制和驱动设计师关心的两个关键因素。当我们的客户在体验到CGD的ICeGaN与我们高度集成的PAC5556A 600V BLDC电机控制解决方案相结合的功率时，他们反应相当热烈。”

通过采用CGD最新一代P2 IC，配备240 mΩ ICeGaN的PAC5556AEVK2评估套件在没有散热器的情况下实现了高达400W的峰值性能，而配备55 mΩ ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小气流冷却的情况下达到了800W的峰值。ICeGaN的效率实现了降低功耗和提高了电源可用性，并最大限度地降低了温度，从而实现了更小、更可靠的系统。由于ICeGaN集成了基本的电流感测和米勒箝位元件，因此简化了栅极驱动器设计，降低了BOM成本。这使得该解决方案易于实施、价格具有竞争力、性能也更高。

PAC5556A+CGD GaN EVK在低速时提供更高的扭矩和精确的控制，使其成为白色家电、吊扇、冰箱、压缩机和泵的理想选择。其目标市场包括工业和家庭自动化，特别是在需要紧凑、高效电机控制系统的应用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官网采购。CGD将在慕尼黑电子展的展台展出以上产品，展位号为C3-539。

结语

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。欲了解更多信息，请访问 https://camgandevices.com/zh/。