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需求增加 价格下降——2019内存市场趋势预测

2019-02-20 10:08 来源:国际电子商情 作者:Elanie Lin

2018是不平静的一年。这一年里,电子元器件产业链经历了多次原材料缺货、物料供不应求涨价到供过于求跌价。内存市场也未能幸免,在2018年内存芯片大厂扎堆布局投资扩产,导致产能过剩,造成存储市场供过于求,导致了消费类存储产品跌幅过半,影响了企业利润……

需求增加 价格下降——2019内存市场趋势预测

2018年,全球知名的内存芯片厂商三星、SKhynix、美光、TOSHIBA、英特尔等争相在创新技术上展开激烈竞争,更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。

三星电子在存储器上的投资在2018年降至99亿美元,其中DRAM投资81亿美元,NAND投资18亿美元。为了扩大下一代芯片和闪存的产能,SK海力士在2017的资本支出创下98亿美元的记录,曾计划将其2018年的资本支出增加到134亿美元。美光科技的资本支出也高达81亿美元,但低于上述两家制造商。

2018年,三星得益于1xnmDRAM和64层NAND产线的效率高于预期,DRAM和NAND位出货量增长率应该分别为25%和45%。据了解,三星计划在2019年位于平泽的晶圆厂开始量产10nmLPDDR5芯片。

SKhynix去年也宣布计划在韩国利川总部建造一座新的存储器工厂。这座工厂在2018年底开工建设,计划在2020年10月完工。SKhynix计划在这家新工厂投资31.2亿美元。此外,SKhynix还在继续扩大利川M14工厂的产能。它还计划于2018年9月底在完成其位于清州的新工厂的洁净室设备的安装,该工厂计划于2019年初投产。另外,在中国地区,SKhynix计划在2018年完成其在无锡工厂的扩建。

美光准备在2018年至2019年在其台湾工厂扩大其10nm级别DRAM芯片的生产。美光位于中国台湾地区桃园县的工厂计划于2018年下半年进入1Xnm的生产并于年底迁移到1Ynm工艺节点上。其位于台中的工厂将在2019年下半年放弃1Xnm产品的量产后迁移到更新的1Znm工艺上。

东芝存储器业务部门2018年在日本岩手县举行新型BiCS3DNAND闪存工厂的奠基仪式,该工厂预计将于2019年年底完工,西部数据也参与了该项目。就在去年夏天,东芝计划在四日市开始启用其Fab6的第一阶段工厂。此举帮助其在未来几个月内增加BiCS3DNAND闪存的产量,Fab6的第二阶段工厂预计于2019年进行部署。

也许是战局过于激烈,市场行情预估不到位,以致于2018年内存厂商持续扩大内存芯片产出,2018全年NANDFlash供应大幅度增加40%。

可谁都没有想到,在2018年全年,三星、苹果智能型手机出货不及预期,国内手机市场竞争激烈,且部分出现销量下滑的情况,再加上英特尔PC处理器在Q3旺季缺货,北美数据中心在Q4订单大幅缩减等诱因,全球NANDFlash市场处于供过于求的状态,闪存卡价格跌价幅度过半;SSD价格跌幅达到56%;而消费型NANDFlash价格跌价幅度最大,价格同比下降最高65%。

2018年全球智能型手机出货下滑2.7%至14.5亿台,中国市场智能型手机出货下滑15.5%至3.9亿台,在全球市占份额也下降至26.9%。

为了改善市场的需求关系且最大限度的维持企业利润,各大厂纷纷下调2019投资预算,推迟先进技术的扩产计划,以及将NANDflash增长率下调来控制价格下跌的趋势。

看到这里,也许有人会说,既然内存市场产能过剩,相关产品是否会持续降价的颓势?事实上,内存市场需求还是很大的,为什么呢?

国际电子商情分析师认为,市场对存储芯片的需求空间还是很大的,芯片厂商在2019年做出的减少产能和推迟量产的计划后,预计内存芯片市场的供过于求的状态不会一直持续下去,但降价仍会是今年存储市场的关键词。

随着人们的生活品质提高,层出不穷的新型产品正在出现在我们面前。除了手机,智能穿戴、家居终端、电视、行车记录仪这些生活刚需品以外,一些新兴起的的智能机器人、AI助手、还有智能音箱等产品都成为了炙手可热的热门产品。这些消费电子设备产品虽然不如手机、平板等搭载容量快速且大量消耗内存芯片产能,但仍有很大的内存需求。

近几年国内智能硬件行业销量呈现爆发式增长,在物联网、云计算、人工智能等技术的不断发展下,差异化的智能产品层出不穷,且功能不断升级更新迭代快,内存芯片需求将不断增加。相信随着人工智能逐渐渗透到人们的生活,与云计算、大数据、移动互联网相融合后衍生的智能硬件产品被广泛应用,未来内存市场仍有广阔的市场前景。

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