历经一年多的景气循环，存储器大厂库存去化有成，加上供给端新增产能有限，今年受惠5G时代来临，供需将趋于平衡，甚至可望供不应求；随着产业将迎来好年，台厂今年也将陆续有新制程技术问世，搭上产业景气步入上升循环的多头行情。

过去一年多以来，DRAM原厂去化库存有成，除去年第3季旺季需求顺利启动外，市场新产能也有限，在5G需求带动下，加上智能音箱、4K/8K电视、ADAS(先进驾驶辅助系统)、物联网与AI等，也将持续推升DRAM需求，业者看好，今年DRAM供需将趋于稳定，下半年甚至可能供不应求。

NANDFlash除供应商库存持续下降、供给成长也保守，同样受惠5G需求驱动，加上笔电搭载SSD比重与容量显著提升，数据中心客户也积极备货，且次世代游戏主机将搭载SSD规格提升等，均成为刺激NANDFlash需求增温的动能，今年NAND价格可望走出去年雪崩惨况、稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。

就在存储器产业景气将走出去年谷底之时，台厂新制程技术也将在今年相继问世。旺宏(Macronix)的NORFlash与NANDFlash产品线，一路走来均坚持自主研发技术，去年成功量产19纳米SLCNANDFlash，持续追赶NANDFlash大厂脚步，第一批产品SLCNANDFlash4GB产品已出货美国机上盒大客户。

除SLCNAND外，旺宏今年下半年将量产48层3DNANDFlash，届时游戏机大客户也可望采用，旺宏并预计于2021年量产96层3DNAND、2022年量产192层3DNAND。

华邦电(Winbond)拥有工研院技转背景，早期DRAM制程主要来自由英飞凌分割出来的奇梦达授权，但在奇梦达倒闭后，华邦电买下其46纳米DRAM制程技术，成为其自主研发基础，而后成功自主开发38纳米技术，并于2018年第4季开始小幅量产25纳米DRAM制程技术。

然而，2018年第3季起，DRAM产业受中美贸易摩擦影响，加上终端需求趋缓，且供给端集中在下半年开出，DRAM价格在第4季终结连9季上扬态势，而华邦电25纳米制程量产的时间点，刚好碰上DRAM市况反转。

受到DRAM市况不佳影响，华邦电25纳米新制程转进较为辛苦，客户端验证速度趋缓，价格压力也更大，去年第2季25纳米占整体DRAM营收占比仅约2%，但第3季起受惠传统旺季需求顺利启动，到第4季时占比已成长至6%，惟受到DRAM价格下滑冲击，加上25纳米开发成本高，第4季单季营运因此转亏。

不过，华邦电看好，25纳米制程良率本季将趋于稳定，新制程转进可望逐步步入轨道；而为下世代20纳米技术做准备，华邦电也将在中科12吋厂进行新制程研发，新设备装机导入预计今年第2、3季可望到位。

南亚科(NANYA)目前主力为20纳米制程技术，来自美光授权，今年初并宣布成功开发出10纳米级DRAM新型记忆胞技术，再度走回自主研发之路，第一代10纳米级前导产品8GbDDR4、LPDDR4及DDR5，涵盖消费型、低功率与标准型产品，预计今年下半年陆续进入试产。

第二代10纳米级制程技术已进入研发阶段，预计2022年前试产，也会开发第三代10纳米级制程技术，确立下世代10纳米级DRAM将采用自主研发技术，不再走授权，摆脱动辄上百亿元的授权金与专利费用。

虽然目前台厂在DRAM与NANDFlash市场，市占率仍不高，不过，随着各家存储器厂自主研发的新制程技术陆续量产，与大厂间的技术差距也逐步缩小，而受惠5G商机推升产业需求扬升，今年存储器将迎来好年，新制程技术的转进也可望搭上这波景气上升循环，趁势起飞。