TrEOS二极管完全支持USB4TM标准；具有低钳位、低电容、低泄露特性，极高的鲁棒性

Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内一款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOSESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1pF）；极低钳位电压动态电阻低至0.1Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（可高达20A8/20µs）。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

Nexperia产品经理StefanSeider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSFESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10GHz时分别为-0.21dB和-17.4dB。该ESD保护器件可满足USB3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USBType-C®连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2(SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。

如需了解新款ESD保护器件PESD2V8R1BSF的更多信息（包括产品规格和数据手册），请访问www.nexperia.com/USB4protection

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Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaNFET器件及模拟和逻辑器件领域高产能的生产专家，其器件符合汽车工业的严苛标准。Nexperia非常注重效率，能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求：年产量高达900亿件。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面已经成为行业基准，拥有业内最小尺寸的封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia一直为全球各地的知名企业提供优质的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过11,000名员工。公司拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF16949、ISO9001、ISO14001和OHSAS18001认证。

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