中芯国际在上交所披露首轮审核问询函的回复。在本次回复中，中芯国际对外透露了不少重要信息，包括外界关注的公司14nm及下一代制程产品信息。

中芯国际是全球的集成电路晶圆代工企业之一，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。“12英寸芯片SN1项目”是中国一条14纳米及以下先进工艺生产线，规划月产能为3.5万片，目前已建成月产能6000片。

上交所在问询函中提出，结合发行人14nm线宽技术晚于竞争对手的量产时间、发行人14nm制程产品的市场份额、盈利水平及性价比等情况，补充披露发行人14nm制程产品的竞争优劣势，以及发行人是否存在提高14nm制程产品竞争水平的有效措施等。

中芯国际表示，在集成电路晶圆代工领域内，全球范围内有技术能力提供14纳米技术节点的纯晶圆代工厂有4家，而目前有实际营收的纯晶圆代工厂仅剩3家。

根据各公司的公开信息整理，台积电(TSM.US)于2015年实现16纳米制程晶圆代工的量产，格罗方德于2015年实现14纳米制程晶圆代工的量产，联华电子于2017年实现14纳米制程晶圆代工的量产。公司14纳米制程的集成电路晶圆代工业务于2019年开始量产。

据介绍，目前14纳米及以下更先进制程在手机应用处理器、基带芯片、加密货币和高性能计算等追求高性能、低能耗、高集成度的领域内已逐渐成为主流技术。预计2024年全球市场规模将达386亿美元，2018年至2024年的复合增长率将达19%。

中芯国际14纳米晶圆代工产能初步开始布建，因此占全球市场的份额相对较低;公司表示，第一代14纳米FinFET技术已进入量产阶段，技术处于国际水平，且具有一定性价比，目前已同众多客户开展合作，预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

中芯国际表示，目前，公司14纳米制程已于2019年第二季度进入风险量产阶段，第四季度进入量产阶段并开始贡献有意义的营收，目前处于产能和产量稳步爬升阶段。公司将根据市场及客户需求情况，稳健、有计划地推进14纳米制程的产能扩张。随着产能的持续扩张，预计未来将持续投入相应的研发及设备支出。

在下一代技术节点的开发上，全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家，第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约20%，功耗降低约60%。

中芯国际表示，14nm及以下先进工艺主要应用于5G、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域，未来发展前景广阔，而随着相关应用领域持续发展，先进工艺的市场需求将持续上升，市场份额将不断扩大，成为集成电路晶圆代工市场新的增长点。

同时，公司对募集资金投资项目的风险进行了补充披露：12英寸芯片SN1项目的总投资额为90.59亿元美元，其中生产设备购置及安装费达733016万美元。

随着14纳米及下一代制程的产线投产、扩产，公司一定时期内会面临较大的折旧压力，该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平，存在经济效益不达预期，甚至产生较大额度亏损的风险。

数据显示，2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体(01347)研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元及4亿元，相应占营收比重分别为9%、22%、8%和7%。

中芯国际表示，为加强在先进制程方面的技术实力，公司不断加大先进制程的研发投入，相继实现了28nmHKC+工艺、第一代14nmFinFET工艺的研发和量产，第二代14nmFinFET工艺的研发也在稳健进行中，并不断拓展成熟工艺应用平台，因此公司研发费用率高于可比上市公司。