当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术，最多可具有128层。引入双层堆叠技术后，使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层，取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stackTechnology）技术，并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于保存资料时不需要消耗电力，断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比，双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性，三星采用了新的电路设计技术。当前，三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续，但存储供应商不改积极扩产态势，竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询的数据，三星是全球最大的NAND闪存制造商，今年第三季度的市场份额为33.1％。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案，三星此举有助于进一步巩固其地位。

据韩联社报道，第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，但如果我们采用双层堆叠技术，256层堆叠是可能的。”

层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存，但是韩进满表示，这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说：“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于’你可以堆叠多少层’，而是关于’目前市场上的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测：制程方面，在2020年NANDFlash叠堆技术突破100层后，2021年继续往150层以上推进。与此同时，单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出，2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。