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东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件

2023-02-08 14:26 来源:东芝 作者:

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”,用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用(如工业设备的可编程逻辑控制器)中使用的感性负载的驱动。高边开关(8通道)“TPD2015FN”和低边开关(8通道)“TPD2017FN”从今日开始出货。

东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件

新产品使用东芝的模拟器件整合工艺(BiCD)[1],实现0.4Ω(典型值)的导通电阻,比东芝现有产品[2]低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用SSOP30封装[3],其贴装面积是现有产品[2]所用SSOP24[4]封装的71%左右,高度是SSOP24封装的80%,同时引脚间距缩小到0.65mm。这些改进有利于缩小设计尺寸。

新产品的最高工作温度是110℃,高于现有产品[2]的85℃,支持工作温度更高的应用。此外,两款新产品还内置过流保护和过热保护电路,有助于提高设计的可靠性。

  应用:

-      工业可编程逻辑控制器

-     数控机床

-     变频器/伺服器

-     IO-Link控制设备

  特性:

-     内置N沟道MOSFET(8通道)和控制电路的单芯片IC

(高边开关TPD2015FN具有内置电荷泵。)

-     采用小型SSOP30封装,贴装面积相当于SSOP24封装的71%左右

-     内置保护功能(过热、过流)

-     高工作温度:Topr(最大值)=110℃

-     低导通电阻:RDS(ON)=0.4?(典型值)@VIN=5V,Tj=25℃,IOUT=0.5A

  主要规格:

(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号

TPD2015FN

TPD2017FN

封装

SSOP30

绝对最大额定值

 

供电电压VDD(V)

-0.3至40.0

-0.3至6.0

输入电压VIN(V)

-0.3至6.0

VDDx-OUTx耐压VDSS(V)--

50.0

输出耐压VOUT(V)

50.0

输出电流IOUT(A)

内部限制

功率耗散PD(W)

1.8

工作温度Topr(℃)

-40至110

结温Tj(℃)

150

储存温度Tstg(℃)

-55至150

工作范围

工作供电电压VDD(opr)(V)

@Tj=25℃

8至40

2.7至5.5

电气特性

导通电阻RDS(ON)典型值(Ω)

@VDD=12V(TPD2015FN)

/5V(TPD2017FN),

VIN=5V,

IOUT=0.5A,Tj=25℃

0.40

输出数量

8

保护功能

热关断

过流保护

库存查询与购买

在线购买

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注:

[1] 双极CMOS-DMOS

[2] 东芝现有产品:TPD2005F和TPD2007F
[3] SSOP30封装:9.7mm×7.6mm×1.2mm(典型值)
[4] SSOP24封装:13.0mm×8.0mm×1.5mm(典型值)

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:

TPD2015FN

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2015FN.html

TPD2017FN

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD2017FN.html

如需了解TPD2017FN的应用信息,请访问以下网址:

TPD2017FN应用说明

https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=143320

如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况,请访问以下网址:

TPD2015FN

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2015FN.html

TPD2017FN

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPD2017FN.html

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

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