2022年2月15日，中国---意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术，采用SO-36W 宽体封装，能够耐受6kV瞬变电压。此外，±100V/ns dv/dt 瞬变耐量可防止在高电噪声工况下发生杂散导通现象。这两款驱动器都提供最高4A的栅极控制信号，双输出引脚为栅极驱动带来更多灵活性，支持开通和关断时间单独调整。有源米勒钳位功能可防止栅极在半桥拓扑快速换向过程中出现尖峰电压。

电路保护功能包括过热保护、安全操作看门狗，每个通道都有欠压锁定 (UVLO)机制，防止驱动器在危险的低效模式下启动。按照 SiC MOSFET的技术要求，STGAP2SICD 提高了 UVLO的阈值电压，以优化晶体管的能效。