SK海力士
SK海力士宣布：全球128层4D NAND下半年开卖
SK海力士于26日宣布，将量产全球128层的1Tb（Terabit）TLC4DNAND闪存，并计划下半年开始销售。[详细]
2019-06-27 09:14 分类：行业芯闻韩媒：亏损严重的SK海力士仍将继续加码存储芯片业务
据BusinessKorea报道，近期业界都在猜测SK海力士很有可能会加强其系统半导体业务。[详细]
2019-06-21 16:44 分类：行业芯闻-
SK海力士拟2022年后投资逾1000亿美元 建四座晶圆厂
据路透社报道，全球第二大存储芯片生产商韩国SK海力士周四表示，已提交了投资意向书，计划在韩国建设一个半导体工业区。该公司称，计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元（1066.6亿美元），在首尔以南40公里的龙仁[详细]
2019-02-22 09:28 分类：行业芯闻 SK海力士：DDR5内存2020年推出 起步5200MHz
近日，SK海力士负责人在接受采访时表示，准备在2020年发布DDR5内存条，频率起步5200MHz，另外DDR6内存也开始策划了，将在5~6年内研发。[详细]
2019-01-31 18:02 分类：滚动新闻SK海力士今年设备投资大减4成
受中美贸易战、全球IT产业景气低迷影响，今年存储器半导体市场得度过一段寒冬，SK海力士预计将设备投资比去年减少4成。另一方面，随着服务器用DRAM和NAND闪存的需求和价格一同下跌，SK海力士计划灵活应对市场行情。[详细]
2019-01-25 16:49 分类：滚动新闻SK海力士发表全球首款DDR5 DRAM
SK海力士15日发布二代10纳米16GbDDR5的DRAM，成为全球存储半导体业当中第一家开发出适用DDR5规格的DRAM，并预计从2020年正式投入量产。[详细]
2018-11-17 18:10 分类：科技新品SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗减少15%
11月12日消息，SKHynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产[详细]
2018-11-13 14:01 分类：科技新品SK海力士成功研发96层4D NAND闪存 年内量产
SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。11月4日，SK海力士公司宣布，“公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4DNAND闪存半导体，计划在今[详细]
2018-11-06 20:03 分类：滚动新闻-
三星/SK海力士推迟扩产：内存大降价梦碎
内存价格已经连续上涨两年多，业内普遍预测到今年第四季度将逐步回归正常，但还没来得及兴奋，坏消息就来了。据台湾媒体援引业内消息称，三星电子、SK海力士都计划推迟工厂扩建、产能扩充计划，原因是客户需求正在变[详细]
2018-09-11 11:34 分类：滚动新闻 -
中国不满DRAM涨太凶 传代陆厂向三星、SK海力士杀价
韩国两大存储器厂三星、SK海力士传被中国商务部旗下反垄断主管机关约谈，且被要求对中国科技厂调降存储器售价。[详细]
2018-05-30 09:20 分类：行业芯闻
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