SK海力士于26日宣布，将量产全球128层的1Tb（Terabit）TLC4DNAND闪存，并计划下半年开始销售。

这是SK海力士去年10月发表96层4DNAND后，时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导，SK海力士为使用TLC设计（每个Cell单元上安装3bit）开发新产品，应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术，制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品，不仅达到高堆栈数，也超越三星电子量产的90层NAND。

虽然先前已有96层QLC1Tb规格的产品，但TLC的性能、处理速度皆优于QLC，在NAND市场中，TLC产品市占率更达85％。因此SK海力士以TLC技术开发出高容量NAND，备受外界关注。

特别的是，虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层，制程手续却减少5％，加上128层4DNAND的每硅片位元生产率比96层4DNAND高4成，即使不使用PUC技术（外围电路），128层4DNAND的位元生产率仍然能提高15％以上。SK海力士对此说明，通过此方式能节省转换新制程的花费，和上一代转换投资费用相比，约能减少6成。《朝鲜日报》指出，这是SK海力士活用去年10月开发的4DNAND工艺平台，并优化制程的成果。

SK海力士计划下半年开始销售128层4DNAND闪存。SK海力士相关人士表示，该产品即使在低电压（1.2V）环境，也能达到1400Mbps数据传输速度，适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案，以及企业用SSD（固态硬盘）中。