日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。

日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间，同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中，SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果，特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)，比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%，100 W能效达到98%。

与前代解决方案对比

技术规格 / 器件编号SiZF5302DT

(Gen V)前代解决方案

(Gen IV)SiZF5302DT对比前代解决方案

封装PowerPAIR 3x3FSPowerPAIR 6x5F63 %↓

VDS (V)3030-

RDS(ON) 典型值

@ 4.5 V (mW)4.4 (通道1)

4.4 (通道2)4.0 (通道1)

1.2 (通道2)-

Qg @ 4.5 V (nC)6.7 (通道1)

6.7 (通道2)11 (通道1)

46 (通道2)-

FOM (m?*nC)29 (通道1)

29 (通道2)44 (通道1)

54 (通道2)35 % ↓

46 % ↓

能效

@ 20 VIN / 12.5 VOUT /

800 kHZ / 100 W98 %96 %2 %↑

器件采用倒装芯片技术增强散热能力，独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

器件规格表：

产品编号SiZF5300DTSiZF5302DT

VDS (V)3030

VGS (V)+ 16 / -12+ 16 / -12

RDS(on) 典型值 (m?) @10 V2.022.7

4.5 V2.934.4

Qg (典型值) @ 4.5 V (nC)9.56.7

ID (A) @TA = 25 °C125100

TA = 70 °C10080

SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。供货周期信息请与Vishay销售代表联系或发送电子邮件至 pmostechsupport@vishay.com。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

The DNA of tech? 是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET、PowerPAIR和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。