MOSFET
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Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应 奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。[详细]
2023-05-11 13:49 分类：企业动态 -
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET Gen V MOSFET组合在3.3 mm[详细]
2023-02-03 09:50 分类：解决方案 -
采用高可信度的MOSFET模型进行基于模型的功率转换器设计
在设计功率转换器时，可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真，带来更多的工程洞见。然而，与制造商精细的器件模型相比，这种简易的器件模型无法在设计中提供与之[详细]
2022-09-22 17:04 分类：模拟/电源 -
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨,2022年7月6日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护[详细]
2022-07-06 15:08 分类：消费电子 Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区) Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。奈梅亨,2022年5月12日:基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专[详细]
2022-05-14 17:49 分类：科技新品-
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查奈梅亨,2022年3月24日:基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型,但一[详细]
2022-03-24 10:55 分类：企业动态 采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
引言 人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中，[详细]
2021-01-28 10:57 分类：行业芯闻-
冠华伟业：专注MOSFET市场服务，笃行厚积
近期，在半导体全产业链产能吃紧的情况下，晶圆制造、封装、零部件等纷纷涨价。作为半导体产业的重要组成，MOSFET的平均涨幅达到20%-30%甚至更高。[详细]
2021-01-01 00:32 分类：行业芯闻 -
英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到高的系统级性能。英飞凌科技股份公司近日通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后，英飞凌又推出了OptiMOS[详细]
2020-11-11 15:47 分类：行业芯闻 华润微：MOSFET 第四季仍将需求旺盛
11 月 10 日讯 11 月 9 日上午，华润微发布投资者关系活动记录表，回答了调研机构关于定增规划、产品及产能情况以及对行业景气度方面的问题。[详细]
2020-11-11 10:32 分类：市场透视
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