２０２１－０７－０８中国苏州　——　全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子于今日宣布，正式确认华邦ＨｙｐｅｒＲＡＭ™　和　ＳｐｉＳｔａｃｋ®　ﻪ（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）　产品能够与瑞萨基于Ａｒｍ®　内核的ＲＺ／Ａ２Ｍ　微处理器　（ＭＰＵ）　搭配使用。华邦长期向瑞萨供应各类外部存储器，其中包括ＤＲＡＭ、ＮＯＲ　ﻪＦｌａｓｈ和ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ等嵌入式系统的主流内存产品，ＲＺ／Ａ２Ｍ的用户也因此受益。

瑞萨ＲＺ／Ａ２Ｍ微处理器适用于人机界面（ＨＭＩ），尤其是带有摄像头的ＨＭＩ应用。ＲＺ／Ａ２Ｍ还支持广泛应用于移动设备的移动产业处理器接口（ＭＩＰＩ），并配备了用于高速图像处理的动态可配置处理器（ＤＲＰ）。

ＲＺ／Ａ２Ｍ具备两个以太网通道，并且能够通过加密硬件加速器提升安全性能。因此，ＲＺ／Ａ２Ｍ　ﻪ可实现安全可靠的高速网络连接，广泛应用于消费电子产品和工业设备的图像识别。

华邦ＨｙｐｅｒＲＡＭ是嵌入式ＡＩ和图像处理分类的理想选择。ＨｙｐｅｒＲＡＭ在保证电子电路足够小的同时可提供高存储和数据带宽，以支持图像识别等计算密集型工作负载。此外，ＳｐｉＳｔａｃｋ使设计人员可以以最微小型的系统设计灵活地将代码存储在ＮＯＲ芯片中，并同时将数据存储在ＮＡＮＤ芯片中。

以下是瑞萨ＲＺ／Ａ２Ｍ微处理器搭载华邦ＨｙｐｅｒＲＡＭ、ＳｐｉＳｔａｃｋ的嵌入式ＡＩ系统配置示例：

·　华邦ＨｙｐｅｒＲＡＭ：可作为工作内存使用，更适合ＡＩｏＴ设备的嵌入式ＡＩ和图像处理应用。

·　华邦ＳｐｉＳｔａｃｋ　（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）：ＮＯＲ　芯片存储ＲＺ／Ａ２Ｍ　ﻪ的启动代码和应用程序代码，ＮＡＮＤ芯片可存储嵌入式ＡＩ学习数据和相机图像等多个大型数据。

·　瑞萨ＲＺ／Ａ２Ｍ：使用移动产业处理器接口（ＭＩＰＩ）摄像头和动态可配置处理器（ＤＲＰ）来高速执行嵌入式ＡＩ成像应用。

华邦产品性能

ＨｙｐｅｒＲＡＭ　ﻪ运行的最大频率为２００ＭＨｚ，可在３．３Ｖ或１．８Ｖ的工作电压下提供４００ＭＢ／ｓ的最大数据传输速率。ＨｙｐｅｒＲＡＭ在运行与混合睡眠模式下，均可提供超低功耗。以华邦的６４Ｍｂ　ﻪＨｙｐｅｒＲＡＭ为例，在室温下，１．８Ｖ　待机功耗为　７０ｕＷ。值得一提的是，ＨｙｐｅｒＲＡＭ　在１．８Ｖ　ﻪ混合睡眠模式下的功耗只有３５ｕＷ。此外，ＨｙｐｅｒＲＡＭ　ﻪ只有１３个信号引脚，这大大简化了ＰＣＢ设计。当设计师设计成品时，ＭＰＵ上的更多引脚可用于其他目的，设计师也可使用更少引脚的ＭＰＵ　以获得更高经济效益。

华邦ＳｐｉＳｔａｃｋ　（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）　将ＮＯＲ芯片和ＮＡＮＤ芯片堆叠到一个封装中，例如　６４Ｍｂ　Ｓｅｒｉａｌ　ＮＯＲ和１Ｇｂ　ﻪＱｓｐｉＮＡＮＤ芯片堆叠，使设计人员可以灵活地将代码存储在　ＮＯＲ　芯片中，并将数据存储在ＮＡＮＤ芯片。此外，虽然是两个芯片　（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）　ﻪ的堆栈，但单一封装的ＳｐｉＳｔａｃｋ，在使用上仅需６个信号引脚。

ＳｐｉＳｔａｃｋ通过简单的软件芯片选择命令　（Ｃ２ｈ）　ﻪ和指定的芯片ＩＤ实现切换工作芯片。其最高时钟频率可达１０４ＭＨｚ，在Ｑｕａｄ－ＳＰＩ下，等同于４１６ＭＨｚ。此外，ＳｐｉＳｔａｃｋ（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）支持并发操作（ｃｏｎｃｕｒｒｅｎｔ　ﻪｏｐｅｒａｔｉｏｎ），当某颗芯片在执行写入／擦除时，另一颗芯片可以同时进行写入／擦除／读取，反之亦然。

瑞萨电子企业基础设施事业部副总裁加藤茂树表示：“随着嵌入式ＡＩ系统变得越来越复杂，使用搭载外部存储器的ＲＺ／Ａ２Ｍ可支持应用程序代码或训练模型不断增加的数据量。现在ＲＺ／Ａ２Ｍ已经确定搭载华邦的ＨｙｐｅｒＲＡＭ　ﻪ与ＳｐｉＳｔａｃｋ内存，客户可以一次性获得涵盖ＲＡＭ与Ｆｌａｓｈ的华邦外部内存，并且可以毫无顾虑地使用我们的产品。”

华邦日本产品营销及应用工程副总三村直己表示：“采用华邦的ＨｙｐｅｒＲＡＭ和ＳｐｉＳｔａｃｋ　ﻪ（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）可以减少ＰＣＢ上的内存安装面积、导线数量和ＢＯＭ成本。　两种封装尺寸均仅有８ｘ６ｍｍ　，　ﻪ其中有１３个信号引脚用于ＨｙｐｅｒＲＡＭ，６个用于ＳｐｉＳｔａｃｋ　（ＮＯＲ＋ＮＡＮＤ）。　ﻪ与传统的ＳＤＲＡＭ和并行ＮＯＲ／ＮＡＮＤ相比，华邦ＨｙｐｅｒＲＡＭ和ＳｐｉＳｔａｃｋ的封装尺寸和终端数量都减少了８０％左右。搭载于瑞萨ＲＺ／Ａ２Ｍ，用户可享受华邦提供的整体内存解决方案。”