“NOR闪存体已达到极限，无法兼容在28纳米(nm)以下的工艺技术。”几年前，包括英飞凌在内的产业巨头对嵌入式NOR  Flash技术极限下了如此定论。英飞凌甚至开发了铁电随机存取存储器(FRAM)，试图证明其可作为NOR闪存的替代方案。

然而，一家成立不足5年的国内初创企业——宁波领开半导体技术有限公司(以下简称“领开半导体”)，凭借创新的技术架构打破了这一定论，这不仅为NOR  Flash技术的迭代“续命”，更为AI时代嵌入式闪存的创新应用开辟了新契机。由深耕半导体行业三十载的资深专家、硅谷技术大咖金波先生创立的领开半导体，其核心技术ATopFlash©正是攻克业内公认的NOR  Flash在28nm及以下先进逻辑工艺节点无法实现进一步突破的这一行业难题的关键。该技术的“横空出世”，不仅解决了28nm以下有无的问题，而且单位面积小，极具成本竞争优势。

领开半导体创始人兼CEO金波

此前，由于传统嵌入式NOR  Flash在28nm以下缺乏成熟方案，系统往往依赖外挂存储过渡，导致复杂度增加、性能受限。ATopFlash©通过独创的技术路径，解决了这一全球性瓶颈，为SoC/MCU向更先进制程演进提供了关键的存储支持。近日，《电子工程专辑》采访了金波先生，请他详细介绍了ATopFlash©的技术渊源、竞争优势，以及如何通过架构创新赋能嵌入式NOR  Flash使其成为MCU和SoC系统的核心存储载体。

突破传统浮栅技术“新技术路径”

NOR  Flash技术作为一种非易失性存储器，自20世纪80年代诞生以来，凭借其独特的特性(尤其是支持芯片内执行XIP，程序可直接运行而无需先加载到RAM)在诸多领域持续发挥关键作用。这种特性使其特别适用于存储启动代码、操作系统内核、关键程序代码和配置数据等。