据外媒消息，三星电子NANDFlash技术再升级，9日宣布研发出容量达1Tb（terabit）的3DNAND芯片，预计明年问世。三星宣称，这一技术是过去10年来存储器的最大进展之一，本次发布的1TbV-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。

三星新一代V-NAND存储器出炉 容量1tb

多家外媒报导，三星研发1Tb的V-NAND芯片（即垂直堆叠的3DNAND），容量是当前最大存储器512Gb（gigabit）的两倍。三星将采用16层堆叠的方式生产出容量达2TB（terabyte）的闪存，大幅提升储存容量。三星宣称，该技术是过去10年来存储器的最大进展之一。

1Tb相当于126GB，以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来看，能够储存60部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智慧和物联网，数据密集的应用程式大增，Flash存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。三星电子本次发布的1TbV-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。

同时，三星发布NGSFF固态硬盘（NextGenerationSmallFormFactorSSD），将取代当前的M.2SSD规格。三星表示NGSFF容量为前代的4倍，将于今年第四季量产。

三星2016年发表Z-SSD技术，现在首度发表采用此一技术的SZ985固态硬碟，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD读取延迟时间为15微秒，大约是NVME固态硬碟的七分之一。

从2013年三星电子在全球率先实现V-NAND(第一代，24层)量产，到今年实现第四代V-NAND的量产引领创新，三星存储器部门高层表示，未来三星电子将积极应对人工智能(AI)、大数据等未来高新半导体的需求。