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据外媒消息，三星电子NANDFlash技术再升级，9日宣布研发出容量达1Tb（terabit）的3DNAND芯片，预计明年问世。三星宣称，这一技术是过去10年来存储器的最大进展之一，本次发布的1TbV-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上[详细]
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