4月21日，晶圆代工龙头台积电上传股东会年报，年报中首度提到2纳米制程技术进展，去年领 先半导体产业进行2纳米制程技术研发，针对2纳米以下技术进行探索性研究；至于EUV专案，去年也取得持续性进展，可加快先进技术学习速度与制程开发，将逐步迈向全面生产制造就绪。

台积电表示，每2年半导体运算能力增加1倍的摩尔定律，技术挑战日益困难，研发组织努力让台积电能够提供客户率先上市、且先进的技术和设计解决方案，帮助客户取得产品成功。

随着2019年7纳米强效版技术量产，及5纳米技术成功试产，台积电研发组织持续推动技术创新，以维持业界的领导地位。台积电表示，当公司采用三维电晶体第六代技术平台开发3纳米技术时，也已开始开发领 先半导体业界的2纳米技术，并针对2纳米以下的技术进行探索性研究。

5纳米方面，台积电表示，虽然半导体产业逼近硅晶物理极限，5纳米制程仍遵循摩尔定律，显著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前静态随机存取(SRAM)存储器及逻辑电路良率均符合预期，已达成去年进入试产的目标。

相较5纳米制程技术，台积电3纳米制程技术大幅提升芯片密度及降低功耗，并维持相同芯片效能，今年研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善，及可靠性评估，将持续进行3纳米制程技术全面开发。

微影技术方面，台积电去年研发重点在5纳米技术转移、3纳米技术开发与2纳米以下技术开发的先期准备。5纳米技术已顺利移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对3纳米技术开发，极紫外光(EUV)微影技术展现优异光学能力，与符合预期的芯片良率，研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本。台积电表示，今年在2纳米及更先进制程上，将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

台积电表示，去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上，有持续性进展，光源功率稳定与改善，得以加快先进技术学习速度与制程开发。此外，极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板，也都展现显著进步，极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。