近年来，在人工智能、5G时代来临下，数据需求量暴增，随着摩尔定律持续向下微缩，半导体业者加大对新兴存储的研发与投资力道，开始寻求成本更佳、速度更快、效能更好的储存解决方案。

新兴存储MRAM(磁阻式随机存取存储)逐渐成为市场焦点，台积电、英特尔与三星等半导体大厂，相继投入研发。

据了解，MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。

MRAM属于非挥发性存储技术，是利用具高敏感度的磁电阻材料制造的存储，断电时，所储存的数据不会消失，耗能较低；读写速度快，可媲美SRAM(静态随机存取存储)，比Flash速度快上百倍、甚至千倍；在存储容量上能与DRAM抗衡，兼具处理与储存资讯功能；且数据保存时间长，适合需要高性能的场域。

除效能上的优点外，相较于DRAM、SRAM与NANDFlash等存储面临微缩困境，MRAM特性可满足制程微缩需求。目前DRAM制程停滞在1X纳米，而Flash走到20纳米以下后，朝3D制程转型，MRAM制程可推进至10纳米以下。至于SRAM，则在成本与能量损耗上，遭遇严峻挑战。

在具备Flash的非挥发性技术、SRAM的快速读写能力、DRAM的高元件集积度等特性之下，MRAM未来发展潜力备受期待，已被半导体业界视为下世代的梦幻存储技术，成为人工智能与机器学习应用上，可替代SRAM的新兴存储。

也因此，除晶圆代工龙头台积电外，包括英特尔、三星、格芯等IDM厂与晶圆代工厂，相继投入MRAM研发，盼其能成为后摩尔定律时代的新兴储存解决方案。

MRAM与DRAM、NANDFlash及SRAM等存储概念全然不同，MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要为两大类别：传统MRAM及STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采自旋极化电流驱动。

目前各家半导体大厂主要着眼STT-MRAM，且越来越多嵌入式解决方案诞生，以取代Flash、EEPROM和SRAM。三星采28纳米FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)制程制造；格芯同样FD-SOI技术，但制程已推进至22纳米；英特尔也采用基于FinFET(鳍式场效晶体管)技术的22纳米制程。

台积电则是早在2002年，就与工研院签订MRAM合作发展计画，目前正开发22纳米嵌入式STT-MRAM，采用超低漏电CMOS(互补式金属氧化物半导体)技术，已完成技术验证、进入量产，并将持续推进16纳米STT-MRAM开发，以支持下世代嵌入式存储MCU、车用电子元件、物联网及人工智能等多项新应用。

据研调机构YoleDéveloppement指出，到2024年，STT-MRAM市场规模可望达到18亿美元，其中嵌入式方案产值约12亿美元、独立元件约6亿美元。未来几年，虽然DRAM与NANDFlash将持续站稳存储市场主导地位，但随着各家半导体大厂相继投入发展，成本也将逐步下降，进一步提升MRAM的市场普及率。