R_DS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用

奈梅亨,2023年3月22日:

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET),该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装,且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化,可在175°C下工作,适用于先进的电信和计算设备。 

凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识,Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N沟道ASFET)作为其产品组合中的首选,在紧凑的8x8 mm封装尺寸中兼顾低R_DS(on)和强大线性模式(安全工作区)性能,可满足严苛的热插拔应用要求。此外,Nexperia还发布了一款80 V ASFET产品PSMN1R9-100SSE(80 V,1.9 mΩ),旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48 V电源轨的增长趋势,在这些应用中,环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定值。

在热插拔和软启动应用中,具有增强型SOA的ASFET越来越受市场欢迎。当容性负载引入带电背板时,这些产品强大的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少。当ASFET完全导通时,低R_DS(on)对于最大限度地降低I²R损耗也同样重要。除了R_DS(on)更低且封装尺寸更紧凑之外,Nexperia的第三代增强SOA技术与前几代D²PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进(在 50 V、1 ms 条件下,电流分别为33 A和30 A)。

Nexperia的另一项创新在于,用于热插拔的新型ASFET完整标示了25°C和125°C下的SOA特性。数据手册中提供了经过全面测试的高温下SOA曲线,设计工程师无需进行热降额计算,并显著扩展了实用的高温下SOA性能。

到目前为止,适合热插拔和计算应用的ASFET通常采用较大尺寸的D²PAK封装(16x10 mm)。LFPAK88封装是D²PAK封装的理想替代选项,空间节省效率高达60%。PSMN2R3-100SSE的R_DS(on)仅为2.3 mΩ,相较于现有器件至少降低了40%。  LFPAK88不仅将功率密度提高了58倍,还提供两倍的I_D(max)额定电流以及超低热阻和电阻。该产品结合了Nexperia先进的晶圆和铜夹片封装技术的功能优势,包括占用空间更小、R_DS(on)更低以及SOA性能更优。Nexperia还提供采用5x6 mm LFPAK56E封装的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列产品,并针对需要更小PCB管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。

有关新型ASFET的更多详细信息,请访问:nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start

关于Nexperia

Nexperia,作为生产大批量基础半导体二极管件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过14,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。