近年来行动装置推陈出新，带动高阶制程技术之需求大增，致2013年起台湾的集成电路业产值连年创下历史新高，2013、2014年各呈二位数成长，分别年增16．2％及23．9％。

惟2015年下半年至2016年上半年因全球经济疲弱，手持行动装置销售滞缓，致104年产值仅年增6．2％，2016年下半年因终端电子产品需求回升，加上物联网、车用电子、智慧自动化等新兴应用发展，致2016年1至10月产值达1兆392亿元，年增5．4％，预期2016年全年集成电路业产值将突破1兆2千亿元，续创新高。

晶圆代工为集成电路业成长之主力

按产品观察，晶圆代工产值占集成电路八成以上，由于先进制程技术持续精进，国际各大品牌行动装置推陈出新，通讯晶片需求强劲，累计2016年1至10月产值达9，035亿元（年增8．6％），为集成电路业成长之最主要贡献来源；DRAM产值居次，因价格相对较104年为低而年减12．5％。

集成电路出口市场以中国大陆及香港居冠

台湾的集成电路业直接外销比率约八成，2016年1至11月集成电路出口总值达709亿美元，较2015年同期成长11．1％，主要出口市场以中国大陆及香港（占54．8％）为首，年增22．5％最为显著；新加坡（占14．1％）居次，年减6．5％，日本（占8．7％）及南韩（占8．5％）再次之。

台湾业者为保持领先优势提高资本支出

为提升竞争优势，台湾业者积极进行研发及投资，尤以晶圆代工厂投入资本支出最为可观。依据证交所公开资讯观测站公布之2016年前3季资料显示，台积电资本支出2，155亿元（年增24．6％），联电697亿元（年增47．7％），有助于推升集成电路业之生产能量。

晶圆代工市占稳居全球第一

根据国际研调机构顾能（Gartner）统计，2015年全球晶圆代工销售市场为489亿美元，其中台积电市占率高达54．3％，较2014年增加0．5个百分点，稳居全球晶圆代工市场之第一名宝座，联电、力晶科技、世界先进等亦名列全球晶圆代工前十大厂商，市占率合占67．2％，与2014年相近。

崛起的中国大陆半导体，台湾半导体好日子快到头了？

近年来，中国大陆大力投入半导体建设中，在年底1500亿美元规模的存储产业开工以后，似乎给台湾产业带来的威胁日益巨大。

首先是设计产业；

大陆IC设计厂商数量及规模皆快速成长，和台湾差距不断拉近，大陆海思2015年的营收额已有约联发科的一半，且已超过台湾IC设计二哥联咏；而展讯与锐迪科正式合并后，同样将超越联咏的规模。大陆的IC设计业多是本土陆资，IC产品除传统3C应用外，政策更扶持诸如车电、医电MCU、智慧卡IC等产品，未来在IoT政策带动需求下，IC设计公司将如雨后春笋般出头。

近十年来大陆IC设计业者快速崛起，回顾2004年，全球前50大无晶圆厂半导体（Fabless）供应商还没有大陆业者，2015年已有近700家中国Fabless厂商。2015年前50大Fabless名单中，美国Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，联发科从第六提升至第三，值得关注的是出现7家大陆业者，且排名多属上升，海思已窜至第七名。

其次，晶圆厂的迅速崛起，这也是对台湾的一大威胁。

根据SEMI（国际半导体产业协会）的全球晶圆厂预测（WorldFabForecast）报告指出，2015年晶圆代工业整体产能已超越存储，成为半导体产业当中最大的部门，并且在未来几年可望持续领先。预料晶圆代工产能每年将成长5％，超越业界整体表现，晶圆代工产能到2017年底预计将达到每月6百万片（8吋约当晶圆）。

台湾的晶圆代工产能居全球之冠，其中12吋的产能占全球晶圆代工产能比重55％以上。台积电与联电是台湾晶圆代工产能的两大主要推手。台积电十二厂第七期、十五厂第五及第六期正积极准备迎接10纳米以下制程产能。联电则持续扩充28纳米产能，十二A厂第五期也准备投入14纳米制程。

另一方面，晶圆代工产能全球第二的中国则是成长最快的市场。2015年中国整体晶圆代工产能为每月95万片，预计到了2017年底将增至每月120万片，占全球晶圆代工产能将近20％。中国晶圆代工龙头中芯国际（SMIC）目前正致力提升北京B1厂和上海八厂（两者均为12吋厂）等既有厂房的产能。

同时该公司也正在提升新成立的北京B2厂（12吋）与深圳十五厂（8吋）产能。中芯的扩充计画同时包含了先进的28纳米／40纳米产能，以及技术成熟的8吋晶圆制程。其他扩大产能的业者还包括武汉新芯（XMC），旗下A厂产能将持续投入NOR快闪存储代工业务；上海华力（Huali）也即将成立第二座晶圆厂，预计明年动工，2018下半年起可望开始投注产能。

未来几年，台湾的晶圆代工业者也将对中国晶圆代工产能有所贡献。今年稍晚联电位于厦门的12X厂将开始投产，2017年有力晶合肥厂，台积电南京厂则将在2018年上线。这三处厂房全面投产后，将带来每月至少11万片（12吋）晶圆的产能。

除了增加产能，先进制程的技术竞赛也特别激烈。台积电、三星（Samsung）与格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）都想在10奈米以下技术节点取得领先地位。技术的演进将带动晶圆代工业者在未来几年内持续投资，其中又以台湾与中国大陆为最。

存储产业，大陆强势崛起

中国大陆现在的三大存储基地已经开工，这可能对台湾来说，也是一个不大不小的挑战。

据台湾媒体报道，近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12吋厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30纳米制程，至于合肥市与北京兆易创新（GigaDevice）合作的合肥长鑫，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。

尽管大陆布局自制3DNANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3DNAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。

目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力全面竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。

长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3DNAND和DRAM两大存储器技术发展，然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范，若是自行研发DRAM技术必须先量产3DNAND，但若对外购买技术则无此限制，使得长江存储积极与国际大厂合作，以加速DRAM量产，并获得专利保护伞。

长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权，业界亦传出正着手评估自建或购并现有晶圆厂的可能性，甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12吋晶圆厂，长江存储执行长杨士宁则表示，将以购并现有晶圆厂为第一考量。

近期武汉新芯12吋新厂已经动起来，单月产能规划30万片，涵盖NANDFlash和DRAM芯片，然业界预期长江存储两大产品线的生产基地，最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制，希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术，以争取大陆DRAM产业宝座。

联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工，预计2018年进入量产，业界传出大陆注资近新台币100亿元，让联电在南科厂同时进行25、30纳米技术研发，预计2017年底完成技术开发，福建晋华则配合在2018年下半装机，届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。

尽管福建晋华至少要投入25纳米以下制程技术，才有机会获得大陆官方青睐，但联电采取较谨慎作法，避免一下子投入25纳米技术开发面临失败风险，遂同时研发30纳米作为备案。

大陆第三股DRAM势力系由王宁国操刀的合肥长鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投资的厂房，传出主要投入DRAM相关存储器IC设计，然近期业界传出该阵营将豪掷逾新台币1，000亿元，同时进行DRAM研发和制造。

目前大陆这三股DRAM势力持续进行招兵买马，并双头并进朝向技术专利授权及自主技术研发模式发展，希望趁着大陆DRAM主导权还未底定之前先卡好位，预期2018年这三大DRAM阵营将力拚量产并陷入激战。

在此期间，大陆疯狂挖角台湾仅存的存储产业人才，这对台湾来说，是一个重大的打击。现在台湾业者和美光的合作，是否对大陆造成重大影响，这又是另一个话题了。

根据台湾本地的半导体观察家陆行之所说，目前看来，只要台湾经济部投审会能在未来12个月内，（1）有条件通过紫光25％参股力成和南茂案—或改由长江存储申请参股或交换部分股权；或（2）有条件开放IC设计业让长江存储参／换股NAND flash控制器的群联电子；或（3）批准南亚科进行技术合作来换取长江存储的参股，这些台湾存储公司和员工，都还有机会参与中国存储产业5％到50％自给率一条龙式的全新布局，并与韩国大厂争夺市场。

如果这些都无法完成，未来五到十年，台湾存储产业应会寻求机会与长江存储设立合资企业，或寻求机会溢价卖给日本欧美大厂寻求下市。否则长江存储必将大量从力成、南茂、群联、南亚科高薪挖角以建立自己的供应链，并打击仅存的台湾存储相关厂商。

华亚科溢价卖出，力成、南茂同意紫光参股，群联潘健成董事长最近不断呼吁政府有条件开放中资投资IC设计和为求企业经营弹性和生存而涉及子公司财报不实案，在在都显示，奄奄一息的台湾存储产业极需要政府更有策略思维的解救。