在长江存储，晋华项目和合肥长鑫这三大存储国产存储基地开建之际，有很多人曾经质疑过中国为什么要投入那么多钱去做这个建设。现在我通过一个事实告诉你原因。现在在存储产业，基本是韩国厂商的天下，而随着设动设备的火热，各种设备的爆发，市场对存储的需求日增，于是带来了存储产品的缺货问题，进而导致了涨价。

拜DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部分分析师预测南韩两大存储厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润可能年增5成，来到史无前例的25兆韩圆。

存储市况从2016年6月触底反弹后，从最低每单位1.31美元一路走升，年底攀底至1.94美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储今年有望延续涨势。

随着PC大饼持续萎缩，分析师去年一度唱衰电脑用存储市况，但人算不如天算，下半年笔电用存储需求旺盛，让NAND快闪存储呈现缺货状态。至于PC用DRAM报价，今年第一季预估将再上涨三成。

另外，即使三星GalaxyNote72016年因自燃事件被迫停产，但行动DRAM需求仍旧不减反增，这主要归功于中国智能手机业者积极填补Note7遗留下的需求缺口。

而当中应以中国作为最大的消耗国。

根据赛迪顾问提供的数据，2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元，占国内芯片市场比重的23.7%，其比重超过CPU、手机基带芯片。

而中国所使用的存储占全球的比例也在逐步上升，。2014年中国大陆DRAM消耗量已达102亿美元，约占全球市场的20%;NANDFlash消耗量也接近全球市场的25%。但与此形成鲜明对比的是国内在这个领域几近空白，市场份额基本都是被日韩美几大巨头所垄断。上文提到的三星和SK海力士就是韩国厂商的代表，每年他们都能从中国获取高额的利润，最主要的是在自主可控方面，中国没有任何话事权。于是发展国产的存储产业就水到渠成了。

更重要的是，根据ICInsights：，未来5年内，存储是半导体产业成长最强劲的产品。

ICInsights的最新报告指出，DRAM与NAND快闪存储等产品，在未来5年内的年平均均复合增长率(CAGR)将达到7.3%的水准，产值也将从2016年的773亿美元，扩增至1，099亿美元。就半导体的产品别来观察，将会是所有产品成长最大的项目。

报告中进一步指出，受惠于智能手机等行动装备对低功耗，存储需求的快速增加，这是带动DRAM与NAND快闪存储成长的主要原因。除此之外，使用NAND快闪存储的固态硬碟(SSD)在资料中心的储存设备中，或是笔记行电脑的应用也日趋吃重，也是拉抬其相关产业发展的关键。ICInsights进一步表示，如果将将半导体区分成逻辑IC、存储、模拟IC与微组件(microcomponents)IC等四大部分的话，在未来5年的预测区间内，将是以存储的成长力道最为强劲，模拟IC的成长比率5.2%居次，微组件则为4.4%排名第3，而逻辑IC则仅成长2.9%垫底。

而ICInsights还指出，南韩科技大厂三星上周五公布2016年第4季财报预测时，原本预计在旗舰型智能手机GalaxyNote7发生电池爆炸，以致召回而最后停产的情况下，三星原本预计第4季在吸收GalaxyNote7召回成本，以及停产的损失后，最终将大亏超过20亿美元。不料，最终的结果是营业利益竟然还能逆势，跳增近80%的比率，其中一大原因就是受惠于DRAM与快闪存储的价格大涨，将利润空间拉大，补足了三星在其他部门的损失。

目前国内也建立起了存储三大阵型：一个是紫光集团旗下的长江存储，主攻3DNANDFlash;一个是福建晋华集成与联电合作的项目，主攻DRAM;;一个是兆易创新和中芯国际前CEO王宁国所主导的合肥DRAM项目。而各自也将取得不错的进展。

长江存储那边声称，其新的存储基地建设将分为三期，总规划面积约100万平方米，一期于8月开工、预计2018年建设完成，月产能约20万片。该厂计划从3DNANDFlash下手，并预计2017有能力推出32层堆叠、2018年推出48层堆叠3DNANDFlash。

至于福建晋华项目，据了解初期将导入32nm，但最终目标其实放在25nm以下制程，以求与其他DRAM大厂不致有太大落差，初步产能规划每月6万片，估计2017年底完成技术开发，2018年9月试产，并在2019年以前将产线移转至福建新厂。

至于兆易创新在合肥那边的项目，早前兆易创新收购了美国DRAM厂ISSI，获得了相关的技术，但没有说具体计划。

但我们也要意识到，虽然我们已经踏出了重要的一步，但是我们依然要意识到，在技术方面和人才方面，我们是落后于日韩美的几大巨头的，如何完善产业环境，获得关键技术和人才就成为中国存储从业者所需要考虑的首要问题，也是中国存储能否获得成功的关键。