美航母冲向朝鲜 美光产能出问题 内存价格要飙涨？

萨德之后，美国航母战斗群逼近朝鲜，半岛局势再度吃紧。韩国首当其冲，作为全球半导体重要制造基地，占据全球一半以上内存出货，叠加美光先进工艺问题不断、产能良率爬坡。韩国到中国航线阻断，或造成全球市场DRAM价格再度飙升。

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，由于原厂先进制程质量问题频传，第二季标准型内存供货吃紧情况未见舒缓，价格涨幅超乎预期。就目前的成交价格看来，第二季4GBDDR4模组合约均价来到27美元，相较第一季的24美元，上涨幅度约12.5%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，进入第二季，全球内存市场仍呈现供货吃紧的状态，各PCOEM大厂正陆续与主要DRAM原厂议定新季度的合约价格。原先市场期待供给即将增加，但由于三星、美光等先进大厂在18或17纳米上都出现质量异常的状况，使得供货吃紧的态势仍未得到纾解，第二季整体DRAM确定维持上涨走势。

三星、美光制程转进遇瓶颈，供货吃紧短期难解

从第一季中开始，三星18纳米的标准型内存产品陆续进入量产阶段，但由于先进制程的设计难度高，在生产的过程中容易与部分笔电的平台出现兼容性相关的问题，导致产线的不良率过高，影响出货。目前三星半导体正积极解决该异常状况，但出货不顺的现况使供货吃紧的态势未能舒缓。

同时，美光的17纳米产品也在第一季中陆续送交样品给客户做测试，目前测试过程并不顺利，原先设定在第二季度可能量产的目标恐将推迟。

SK海力士则因为目前没有进行制程转换，成为三大厂当中唯一没有遭遇供货不顺问题的厂商。吴雅婷指出，三星和美光遭逢的状况说明制程转进至20纳米以下时，在设计、生产的难度都大幅提升，此外，也说明制程微缩能享有的位元成长越来越少，使得供货端吃紧的态势若要得到舒缓，还需花费更多时间。

吴雅婷进一步指出，整体而言，第二季内存价格持续向上的趋势仍未改变。除标准型内存外，服务器内存的涨幅也相当明显，预估将达10%~15%。而行动式内存则为目前涨幅最小者，在中国智能手机的出货动能尚未大幅转强以前，预估第二季行动式内存涨幅仅约5%以下，其中eMCP产品因NAND同时缺货的缘故，涨幅较高，约达5%。