格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布推出其具有7奈米(7nmLeading-Performance,7LP)的FinFET制程技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高阶移动处理器、云端服务器网络基础设备等应用需求。

格罗方德CMOS业务部资深副总裁GreggBartlett表示，该公司的7奈米FinFET制程技术正在按照计划开发，预期在2018年计划宣布的多样化产品对客户将有强大吸引力。在推动7奈米芯片于未来一年中实现量产的同时，该公司正在积极开发下一代5奈米及其后续的技术，以确保客户能够在走在最前端使用领先技术。

2016年9月，该公司曾宣布将充分利用其在高性能芯片制程中的技术，来研发自己7奈米FinFET制程技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远高于最初的性能目标。与先前使用14奈米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格罗方德纽约Fab8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

该公司为了加快7LP的量产进度，正在持续投资最新的研发设备能力，包括在今年下半年首次购入两组极端紫外线(EUV)光刻工具。7LP的初始量产提升将依赖传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将逐步使用EUV光刻技术。