近年来由于各项智能设备以及人工智能的应用，人们对芯片计算能力的需求越来越大。芯片的运算能力取决于基本运算单元电晶体的多寡，但由于电晶体的研发已渐渐接近物理极限，无法再继续缩小，因此科学家及各个科技大厂正在不断研究下个能使芯片运算速度提升的方法。

其中一个半导体产业在追求的新兴技术就是三维芯片，三维芯片利用高度的堆叠来整合不同的芯片，可以更有效利用空间、放入更多元件，增加运算速度。

研究人员：新技术前景可期

麻省理工学院的研究员近期利用纳米碳管和电阻式存储器（RRAM）发展出新的三维芯片制造方法，目前已发布在期刊《Nature》上。有别于传统以矽为基础的芯片，这次芯片为纳米碳管及RRAM组成，由于纳米碳管电路及RRAM制作时只需摄氏200度，因此解决了传统硅晶片制程时需要超过摄氏1千度高温，会损坏三维芯片多层次结构的问题。

此外，纳米碳管和RRAM的能源消耗效率也比传统芯片元件佳。

该团队表示下一步将会与半导体公司合作开发新版本的三维芯片，把感测功能及资料处理功能也加入单一芯片中。有专家表示，这项发明可能会是延续摩尔定律的重要关键，虽然可能还需要很长时间的研究，不过前景可让人期待的。