目前，全球DRAM绝大部分市场份额掌握在三星(Samsung)、海力士(SKHynix)和美光(Micron)手中，总占比约97%。因工艺制程转进不顺以及巨头将资本转向NANDFlash，自2016年开始DRAM产能就出现了短缺，进而导致DRAM全年的涨势。

2017年，在DRAM价格持续上扬的大趋势下，终端厂商也将面临更大的生存挑战。而在技术规格上，出于涨价带来的成本结构的考量，LPDDR3仍将主宰中低端市场，而性能和功耗更优的LPDDR4(X)将在高端市场成为主导，不过难在容量上面迅速增量。

制程开进18nm困难重重成DRAM缺货主要诱因

2017年电子元器件的缺货成为常态，其中又以NANDFlash和DRAM的缺货最为明显。NANDFlash缺货是因为2D转3D良率不及预期且2D备货不足导致，那么DRAM缺货原因有哪些?

集邦科技记忆体储存事业部研究协理郭祚荣

集邦科技记忆体储存事业部研究协理郭祚荣表示缺货是DRAM资本减持和新制程转进良率不高两大原因造成。由于今年DRAM巨头的资本支出多转向3DNANDFlash，从而导致DRAM产能并无明显增加，加上DRAM工艺制程转进1Xnm后良率提升不易，在各厂无重大产能开出的情况下，全年度DRAM价格均将维持上升格局。

业内人士知晓，当DRAM制程转进至20nm以下时，原厂在设计、生产的难度上都会大幅增加，目前三星、美光分别在18nm和17nm上出现了质量问题。从今年Q1中开始，三星18nm标准型DRAM由于先进制程的设计难度大，导致良率不高而影响了出货，而美光的17nm产品在客户的样品测试中也不顺利，原定于Q2量产的目标亦难实现。

尽管困难重重，但三星今年的目标仍专注于18nm制程的转进，力争年底最先进制程的产出达到40%以上;SK海力士的目标仍着重于21nm的良率提升并扩大该制程占比，18nm制程将于今年下半年开始试产、明年上半年大幅量产;美光已在今年初将17nm制程导入量产阶段，争取年底大部分产能转进新制程。

缺货的原因除了1Xnm新制程良率不及预期外，还有智能手机(主要指国产手机)出货量的提升以及智能手机对DRAM容量需求的提升。某行业资深人士做了详细的分析：

首先，在智能手机的出货量方面，去年Q4和今年春节期间有明显增长，尤其OPPO、VIVO、华为三大厂商的订单猛增，这是对DRAM整体需求的一大利好。其次，在DRAM容量需求方面，2015年2GB和3GB是智能手机DRAM的主流选择，但到了2016年，2000元以上的Android手机的最低容量选择为4GB，3000元以上的手机则采用了6GB甚至8GB，手机量的增长和DRAM容量的提升，共同影响了DRAM的供求状态。

不过，他表示从2016年底开始，缺货已经逐渐得到缓解，直到2017年上半年，DRAM库存已经开始供过于求，缺货并不十分明显了。原因在于，一是2017年Q2是传统手机的出货淡季，手机销量无明显增加(有数据显示2017Q2手机出货量较去年Q4衰退23%)。二是旗舰机对DRAM的容量需求也无明显增加，如2016年OPPO发布的R9采用了6GB，2017年小米6同样采用的是6GB。这些因素让DRAM缺货及涨价态势得到了抑制。

Q2手机市场偏淡致使DRAM需求疲弱，价格可能还有回还的趋势，这与集邦科技发布的一则信息吻合。从需求端看，4、5月正值所有终端产品需求偏弱的期间，主要因为第一季来自中国春节的需求刚过，而第三季末的返校潮、第四季的节庆备货需求还尚未来临，所以整体DRAM需求有稍微放缓的迹象。受此影响，在价格方面，虽然全年都是上涨趋势，但Q2DRAM颗粒的价格已有小幅下滑。主流的LPDDR4颗粒现货均价已由4月中旬的3.381美元跌至3.316美元，跌幅约1.92%，预估短期内仍将持续微幅下跌态势。

郭祚荣也表示，目前智能手机用的LPDDR4和LPDDR3的市场缺口正渐渐恢复平衡，下半年持平或是小幅上涨的可能性更高。他强调，DRAM现货市场占全球市场不到10%，其价格下跌不代表整体市场，合约价才是引领DRAM市场趋势的价格导向。

2017年Q2内存价格上扬的趋势仍未改变，只是上涨的幅度减小了。在中国智能手机的出货旺季到来之前，预计Q2移动端DRAM涨幅仅约5%以下，而其中中端产品应用广泛的eMCP(DRAM+NANDFlash集成)产品因NANDFlash同时缺货的缘故涨幅约达5%。整体而言，DRAM缺货在Q2的手机淡季得到了缓解，但全年整体缺货趋势上扬，产业链仍将面临不小的压力。