关注半导体产业发展的朋友们，对于中芯国际一定不陌生。作为大陆半导体制造的代表性企业，中芯国际在取得2017年（第三十一届）中国电子信息百强企业第21名后，在近日公布的《财富》中国500强榜单中排在了第314名的位置。但这家获得如此多肯定的企业却在近日被指与一线大厂渐行渐远，那么中芯国际的实力究竟如何呢？

中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是大陆规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，提供0.35微米到28纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，拥有全球化的制造和服务基地。在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂；在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂；在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂；在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂；在意大利有一座控股的200mm晶圆厂。

被指与一线大厂渐行渐远

中芯国际虽位居全球第4大专业晶圆代工厂（次于台积电、格罗方德与联电），也扮演大陆半导体的要角；但中芯从2000年成立以来，几乎大部分的时间都在赔钱，而台湾半导体教父张忠谋17年前曾表示，中芯不仅不会威胁到台积电，且会经营的很辛苦，没想到张教父一语成谶，然倾官方之力扶植的中芯为何连年亏损，与一线大厂渐行渐远？

中芯被视为大陆半导体的样板企业，17年过去了，营运之路却愈走愈艰困，财讯双周刊报导，归结中芯的三大败因，一是，创办人张汝京是建厂高手，并非经营高手，对生产良率与技术研发经验不足，只好全盘抄袭台积电，成为日后中芯专利诉讼大败的主因。

再者，大股东各有盘算，中芯内部有“台湾系、海归系、本土系”三大派系，彼此明争暗斗，导致经营团队不断更迭，不过，让中芯受伤最重的，是厂区分散，生产线从上海扩张至北京、武汉、深圳等地，由于各省公公婆婆一大堆，难以形成中芯的产业聚落。

导报引述熟悉内情的台商透露，身为一家企业执行长（CEO）无法以理性决策做判断，却要奔走于地方政府进行协调，也是中芯的一大败因。

然而中芯国际的实力真是如此吗？

第一季度营收7.9亿美元

5月10日，中芯国际发布了2017年第一季度报告，其销售额约7.93亿美元，同比增长25.0%；中芯国际应占利润为6980万美元，去年同期为6140万美元，同比增长约13.6%。

第一季度业绩：

营收约7.93亿美元，较去年第四季度8.15亿美元减少2.7%，较去年同期6.34亿美元增长25.0%；

毛利润约2.21亿美元，而去年第四季度约2.46亿美元，去年同期约1.54亿美元；

毛利率为27.8%，去年第四季度为30.2%，去年同期为24.2%；

归属于中芯国际的净利润为6980万美元，去年第四季度约1.04亿美元，去年同期为6140万美元。

第二季度业绩预期：

中芯国际预计，第二财季营收环比将下降3%至6%；

毛利率将达到25%至28%；

基于非美国通用会计准则，运营开支将达到1.79亿美元至1.84亿美元；

来自控股子公司的非控制性权益将达到600万美元至800万美元。

7月20日，中芯国际宣布，将于北京时间2017年8月9日星期三发布2017财年第二季度财报。

02专项支持下，取得突破性进展

在02专项支持下，中芯国际产能和技术研发取得突破性进展，成套工艺水平由2008年的110纳米提升到28纳米，完成65-45-28纳米成套工艺研发并实现量产：65/55纳米产品累计销售超过180亿元，40/45纳米产品累计销售超过100亿元，2015年32/28纳米工艺开始量产高通骁龙系列产品，产品累计销售超过180亿元，2016年28纳米高K金属栅工艺（HKMG）成功流片，并经联芯4G移动终端AP产品认证；14纳米研发获得突破；2017年联合中科院微电子所等单位开始了“7-5纳米集成电路先导工艺与系统集成新技术”的研发。

中芯国际作为行业龙头企业，不仅全面遵照“02专项用户考核制”，为国产材料、装备及零部件提供公共验证平台，更根据集成电路大规模生产的特点和要求，积极主动协助设备材料企业开展技术攻关，带动国产材料、装备及零部件验证和应用，取得了一大批经得起市场检验可以参与国际竞争的优秀成果产品。

公共验证平台覆盖350纳米到28纳米所有制程。12英寸厂成功验证12个设备种类，占设备分类数的13%，中芯国际北方厂12寸国产设备量产突破1000万片。

材料方面，中芯国际下属8英寸和12英寸厂都有国产材料验证成功并上线使用，截止2016年共有60个国产材料验证成功并采购使用，全部材料国产化比率达13%。

通过专项立项整体布局，中芯国际与国内设计企业联系愈加紧密，先后为20余家设计单位提供65-28纳米产品开发支持，海思、展锐、中兴微、大唐联芯、瑞芯微等加大国内投片比例。2016年国内设计公司营收占公司总收的将近50%，并就14纳米技术节点与中芯国际开展密切合作。

先进工艺研发过程中，中芯国际坚持走产学研合作创新道路，历时超过7年，经65纳米至7纳米五个工艺代，合作创新单位包括国内集成电路领域最优秀的研究所和高校。

中芯国际各制程技术节点的详细情况

先进技术产品

28纳米：中芯国际的28纳米技术包含传统的多晶硅（PolySiON）和后闸极的高介电常数金属闸极（HKMG）制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功为客户制造出低功耗、高性能的手机处理器芯片。2015年第四季度，中芯国际宣布28纳米进入量产阶段并开始贡献营收。

45/40纳米：中芯国际是大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂，其40纳米标准逻辑制程提供低功耗（LL）器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件1.8V、2.5V和3.3V电压以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术、应力技术、超浅结技术以及超低介电常数金属间介质。

65/55纳米：中芯国际的65/55纳米工艺制程平台可以广泛支持包含逻辑、混合信号、射频、BCD、NOR闪存、eFlash和CIS在内的多种IC产品。2014年，中芯国际成为全球第一家可以为智能卡和SIM卡提供55纳米嵌入式闪存（eFlash）解决方案的专业晶圆代工厂，并且在2014年第四季度实现量产。

成熟技术产品

90纳米：中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产，中芯国际拥有丰富的制程开发经验，可向全球客户提供先进的90纳米技术。中芯国际的90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化，为客户未来技术的提升提供附加的资源。

0.13-0.11微米：中芯国际的0.13微米制程采用全铜制程技术，可在达到高性能设备的同时，实现成本的优化。0.13微米技术工艺使用8层金属层宽度仅为0.08微米的门电路，能够制作核心电压为1.2V以及输入/输出电压为2.5V或3.3V的组件。中芯国际的低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。

0.18微米：中芯国际0.18微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等，这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。中芯国际在0.18微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其他广泛的应用类产品，也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供了灵活性的解决方案及模拟。

0.35-0.25微米：中芯国际提供0.25微米逻辑电路以及3.3V/5V应用的混合信号/射频CMOS和成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案，可应用于智能卡、消费性产品以及其他多个领域。

SPOCULL特殊工艺：SPOCULLTM是中芯国际的重要特殊工艺。SPOCULL代表SMICPolyContactforUltraLowLeakage。SPOCULLTM包括95纳米高压工艺和95纳米超低功耗工艺两个技术平台，分别针对高性能模拟/射频产品和超低功耗的微控制芯片。95纳米高压工艺主要用于显示驱动器IC，95纳米超低功耗工艺用于物联网相关领域。