据外媒报道，磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布开始尝试打造1Gb(128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。

这款新芯片采用的则是一个兼容DDR4的接口。这家公司表示，供应商可以利用持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品展开进一步的改善。

据了解，ST-MARAM的密度要比公司旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，从GlobalFoundries的40nm工艺到foundry28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键，另外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。

首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片的产品之一将来自SmartModular公司。该公司计划发布一款NVMePCIe硬盘，它的重量和长度都将减半，其将用于元数据缓存和储存加速应用。SmartModular表示，该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500KIOPS。

眼下，Everspin正在闪存峰会(FlashMemorySummit)展示他们的1GbST-MRAM。