內存供不应求情况改善、价格涨势趋缓，不少人忧心好景不再。但是两家外资出面喊多，预测记忆体会一路旺到2018年，美光（Micron）等将受惠。

霸荣（Barronˋs）两篇报导称，摩根士丹利（大摩）分析师JosephMoore14日报告称，他们和运算端客户谈话发现，內存短缺情况好转，不过市场仍然畅旺，云端客户估计供给会一路吃紧到明年，今年第四季行动DRAM价格将续涨。此外，当前DRAM和NAND现货价走势持平，但是仍高于合约价。

StifelNicolaus分析师KevinCassidy参加美国加州SantaClara的闪存峰会，注意到NAND持续短缺。Cassidy报告称，尽管资本开支飚升，与会者仍大谈NANDFlash供给吃紧。这是因为经费主要用于增加晶圆层数，而非晶圆产能，预估NANDFlash供不应求情况会延续到2018年。

Cassidy指出，美光具有优势。报告称，美光Flash內存的成本结构大幅改善，未来还会继续降低。美光重申该公司3DNANDdie尺寸为业界最小，成本更具竞争力。美光3DNANDdie体积小，是因采用浮闸式（FloatingGate）构架，此种构架常用于平面NAND。三星、东芝、SK海力士（SKhynix）则采电荷捕捉层式（ChargeTrappingLayer）构架。