DRAM、储存型快闪记忆体（NANDFlash）及编码型快闪记忆体（NORFlash）三大记忆体会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。业者指出，未签订长约的客户，记忆体供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。

集邦、ICInsight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NANDFlash到年底都处于缺货状态；NORFlash更因美系二大供应商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。

业者表示，三大记忆体应用范围广，尤其NORFlash几乎是各电子产品储存程式码关键元件，虽然单价远比DRAM和NANDFlash低，但没它不行。

三大记忆体今年创下历年最缺且涨势最久纪录，同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市，三大记忆体优先供货给苹果，非苹阵营也积极备货，业者预期，三大记忆体下半年缺货比上半年更严重。

法人分析，DRAM、NAND／NORFlash三大记忆体同缺，台厂拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空，三家厂商正积极去瓶颈，提升产出，抢食缺货商机。

南亚科目前在林口有二座12吋厂，其中3A厂30纳米制程产品，有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计；全新的3An厂，今年导入20纳米制程后，5月取得客户验证，提前在今年第2季量产，目前良率相当好，预定今年底单月投片量达3万片。

华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片，预料年底可增至4.8万片，希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片，但估到5.5万片时，中科厂就全数满载。华邦电强调，新增产能将全数生产NORFlash及部分NANDFlash，希望未来Flash产出量与DRAM相近。

华邦电本月除息0.6元，除息参考价17.6元，短短几日完成填息，上周五（17日）再登上20.1元波段新高。

存储下半年将持续涨价？

DRAM供需吃紧，价格走高的态势有望延续到下半年，包括PC、商用NB、伺服器与手机的相关需求都颇为强劲，业者认为，第2季会延续涨价趋势，今年下半年需求将会更旺，因此第3季旺季的价格也可望持稳。

至于第4季的DRAM价格情况，业者评估，某程度取决于NANDFlash端的供需是否改善，若3DNANDFlash新产品顺利大量产出，缺货现象明显纾解，甚至出现过剩现象，同时生产DRAM与NANDFlash的原厂，可能调配资本支出，转往投注在DRAM。

研调机构集邦科技指出，4、5月为所有终端产品需求动能偏弱的期间，因为第1季来自中国农历春节的需求刚过，而第3季末的返校潮、第4季的西方节庆备货需求也尚未来临，所以整体DRAM需求有稍微放缓的迹象。但PCOEM大厂仍预估今年DRAM都呈现供货吃紧的状态，并积极在下半年的旺季需求来临前，增加DRAM库存水位。

集邦也表示，在供给端由于制程转进20纳米以后，良率提升不易，且在今年各厂未有重大产能开出的前提下，整体DRAM供给成长不易，今年DRAM价格将维持上升格局。

另外，根据集邦的资料显示，去年全球智能手机的平均记忆体容量约为2.4GB，今年在LPDDR4成为主流应用的力道带动下，原本有望大幅成长，但移动记忆体价格涨势猛烈，导致搭载量的成长动能受压抑，预估今年智能手机移动记忆体平均单机搭载量，将自原估计的3.7GB，下修至约3.2GB，与去年相较，仅成长33.4%。

目前智能手机市场竞争相当激烈，而记忆体涨价使得厂商成本结构压力更为加重，连苹果也不见得可以全然忽视。集邦指出，由于DRAM供不应求的状况估计将延续一整年，苹果为考量成本及避免供应链管理困难，新一代iPhoneAMOLED款记忆体搭载量设定在3GB，而LCD两款分别维持在5.5吋机型搭载3GB，4.7吋机型搭载2GB，搭载4GB机种预估要等到2018年才会问世。

存储虽然持续涨价，但下半年开始修正

Gartner表示，自2016年中期以来，随着NANDFlash的涨价，SSD的每位元组的成本也出现了惊人上涨。不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。

Gartner进一步指出，中国曾在2014年表示，将在未来10年内花费1,500亿美元来扩大半导体产能。而在大量中国制造的NANDFlash涌入市场之后，势必会缓解当前供不应求的情况，价格下降也就成了必然。Gartner预估，NANDFlash方面，2017年第2季将会开始呈现反转，使得全球NANDFlash和SSD的价格会在2018年出现明显下滑，并在2019年重新陷入一个相对低点。

不过，在NANDFlash降价的基础下，Gartner却不认为消费者能够买到更加便宜的智慧型手机等终端产品。因为厂商会藉由其他的方式来保证自己的利润。例如苹果，该公司将在其最新推出的iPhone8系列智慧型手机上只提供了32GB、128GB和256GB三种存储容量。而由于iOS10以及高画质内容对储存容量需求，显然更多的消费者会选择128GB和256GB机型，这也确保了苹果的利润。

除了在NANDFlash降价趋势似乎已经确定之外，在DRAM方面，也预期将在2017年下半年随着供给增加，产品价格也将逐渐下滑，使得DRAM市场产生无可避免的周期性修正。

根据市场调查机构ICInsights表示，看好DRAM价格涨势可望延续到2017年上半年。只是ICInsights认为，DRAM在经过1年大幅上扬之后，随着下半年供应将增加，产品价格恐将下滑，展开周期性修正。

ICInsights表示，DRAM价格自2016年中以来快速走高。根据统计，DRAM平均售价已自2016年4月的2.41美元，大幅攀高到2017年2月的3.7美元，涨幅高达至54%。而在产品价格大涨带动下，ICInsights预估，2017年DRAM产值可望达573亿美元规模，将较2016年成长达39%。

另外，ICInsights预期，DDR4规格的DRAM产品比重在2016年窜升至45%之后，2017年时的比重更可望进一步突破50%的大关，达到58%的比例，成为未来DRAM市场主流产品。

ICinsights同时指出，全球记忆体下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND快闪记忆体均是如此。

尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有纪录以来之最。

记忆体价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。

ICinsights指出，随着价格走扬，记忆体制造商也再次增加资本投资，但多数不是扩充产能，而是开发更先进技术，如今年有关于快产记忆体的投资，几乎全数投入3DNAND技术的开发。